FDS86140 — купить, цена, наличие
| Наименование: | FDS86140 |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 008584 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный PowerTrench, 100 В, сопротивление канала 17 мОм, заряд затвора 41 нКл, мощность 2,5 Вт, корпус SOIC-8
FDS86140 — это N-канальный полевой транзистор MOSFET серии PowerTrench от компании onsemi. Он предназначен для работы в цепях с напряжением до 100 В и обладает низким сопротивлением открытого канала — всего 17 мОм. Заряд затвора составляет 41 нКл, что влияет на скорость переключения транзистора. Мощность рассеяния данного транзистора достигает 2,5 Вт, корпус выполнен в формате SOIC-8.
При монтаже транзистора важно учитывать его тепловые характеристики и обеспечить адекватное охлаждение, чтобы не превысить допустимую мощность рассеяния. Для улучшения отвода тепла рекомендуется использовать контактные площадки или радиаторы, соединенные с выводами корпуса. SOIC-8 удобен для поверхностного монтажа, но из-за относительно большого размера необходимо предусмотреть достаточные зазоры между компонентами на плате. При пайке следует соблюдать стандартные рекомендации по времени и температуре, чтобы избежать перегрева кристалла и нарушения его герметичности.
| Корпус | SOIC |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 11.2 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Сопротивление сток-исток | 9.8 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 4.8 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 1.75 mm |
| Входная ёмкость | 2.58 nF |
| Дата выпуска | 2011-03-14 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 4 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Статус жизненного цикла производителя | Активен |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 5 W |
| Мин. напряжение пробоя | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 2.7 V |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Рассеиваемая мощность | 2.5 W |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Rds(on) макс. | 9.8 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Время нарастания | 5.6 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Пороговое напряжение | 2.7 V |
| Время задержки выключения | 23 ns |
| Время задержки включения | 13.7 ns |
| Масса | 130 mg |
| Ширина | 5 mm |
| Документ | Скачать | |
| Технический чертеж | Скачать (1 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (3 стр.) |
Позиция есть у 26 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRLML2402 — N-канальный MOSFET IRLML2402, напряжение 16 В, ток 1.2 А, сопротивление канала 0.25 Ом, м…
- IRLML2402TRPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRLML2402TRPBF, N-канал, лента
- IRLML2502G — Транзистор MOSFET N-канальный, корпус SOT-23
- IRLML2502G-VB — N-канальный MOSFET VBsemi, напряжение 20 В, ток 6 А, сопротивление канала 24 мОм при 4.5…
- IRLML2502GTRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 20 В, ток 4,2 А, корпус MICRO3
- IRLML2502GTRPBF-JSM — МОП-транзистор (MOSFET) IRLML2502GTRPBF, JSMICRO, N-канал, лента
- IRLML2502GTRPBF-VB — N-канальный MOSFET VBsemi, напряжение 20 В, ток 6 А, сопротивление канала 24 мОм при 4.5…
- IRLML2502TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 12 В, ток 4,3 А, сопротивление канала 0,05 Ом, корпус SOT-…
- IRLML2803 — Транзистор MOSFET N-канальный, 25 В, ток 1,2 А, сопротивление канала 0,25 Ом, корпус SOT-…
- IRLML2803GTRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 30 В, ток 1,2 А, корпус MICRO3
- IRLML2803PBF — Транзистор MOSFET N-канальный, мощность 540 мВт, диапазон -55...+150°C, корпус SOT-23
- IRLML2803TR — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 30 В, корпус Micro3