Infineon IRL520NSTRLPBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon IRL520NSTRLPBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 003716 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, корпус D2PAK-3
Infineon IRL520NSTRLPBF — это мощный полевой транзистор типа HEXFET с N-каналом, предназначенный для работы в цепях с напряжением до 100 В. Корпус D2PAK-3 обеспечивает эффективное охлаждение и высокую коммутационную способность, позволяя использовать данный транзистор в сильноточных схемах.
Конструкция корпуса D2PAK-3 отличается повышенной устойчивостью к механическим воздействиям, таким как вибрации и удары, что делает его подходящим для использования в условиях эксплуатации с повышенными вибрационными нагрузками. Благодаря хорошей герметичности, транзистор сохраняет работоспособность в условиях высокой влажности, предотвращая образование коррозии и нарушение изоляции. Также корпус обеспечивает эффективный отвод тепла, способствуя стабильной работе в широком диапазоне рабочих температур.
| Корпус | D2PAK |
| China RoHS | Не соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 10 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Сопротивление сток-исток | 220 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 22 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 16 V |
| Высота | 5.084 mm |
| Входная ёмкость | 440 pF |
| Дата выпуска | 2001-04-03 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 10.668 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Максимальная температура перехода | 175 °C |
| Макс. рабочая температура | 175 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 48 W |
| Мин. напряжение пробоя | 100 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Число выводов | 2 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 180 mΩ |
| Количество в упаковке | 800 |
| Рассеиваемая мощность | 3.8 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 180 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Время нарастания | 35 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Время задержки выключения | 23 ns |
| Время задержки включения | 4 ns |
| Ширина | 9.65 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (12 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRL520NSTRL — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, корпус D2PAK
- IRL520NS — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 10 А, корпус D2PAK
- IRL520NSPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 0,18 Ом, ток 10 А, корпус D2PAK
- JCS10N65FT-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 м…
- L2N7002DW1T1G — Сдвоенный N-канальный MOSFET Leshan Radio, 20 В, сопротивление 7.5 Ом, корпус SC-88
- L2N7002DW1T1G-MS — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 300 мА, сопротивление канала…
- ME2N7002DW-VB — N-канальный MOSFET, напряжение 60 В, ток 0.3 А, сопротивление канала 2000 мОм при 4.5 В
- MMFTP3401 — P-канальный MOSFET Diotec MMFTP3401, -30 В, ток -4 А, корпус SOT-23
- NTBLS0D8N08XTXG — N-канальный силовой MOSFET серии NTBL, ток 457 А, мощность 325 Вт, корпус HPSOF-8, SMD
- NVMYS010N04CLTWG — N-канальный MOSFET onsemi NVMYS010N04, силовой транзистор
- P100NF03L-03 — МОП-транзистор (MOSFET) JSMICRO P100NF03L, P-канал
- P100NF03L-03-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление канала 3 мОм…