Infineon IRL520NSPBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon IRL520NSPBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 003717 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 0,18 Ом, ток 10 А, корпус D2PAK
Infineon IRL520NSPBF — мощный N-канальный полевой транзистор типа MOSFET, рассчитанный на напряжение до 100 В и ток до 10 А. Сопротивление открытого канала составляет всего 0,18 Ом, что обеспечивает минимальное падение напряжения и низкое тепловыделение в режиме проводимости. Компонент выполнен в корпусе D2PAK, обеспечивающем эффективное охлаждение и надёжное крепление.
IRL520NSPBF востребован в автомобильной промышленности, где требуется высокая надёжность и устойчивость к вибрациям, а также в промышленных источниках питания, где важны низкий уровень потерь и высокая эффективность. Его применяют в инверторах и преобразователях частоты, где критичны низкие потери проводимости и способность выдерживать высокие пиковые токи. В телекоммуникационном оборудовании он используется благодаря своей способности эффективно коммутировать мощные сигналы и обеспечивать стабильную работу в широком диапазоне температур.
| Корпус | D2PAK |
| Постоянный ток стока (ID) | 10 A |
| Номинальный ток | 10 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Сопротивление сток-исток | 220 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V |
| Двухполярное напряжение питания | 100 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 22 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 16 V |
| Высота | 4.826 mm |
| Входная ёмкость | 440 pF |
| Дата выпуска | 2001-04-03 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 10.668 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2018-12-15 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2019-06-15 |
| Максимальная температура перехода | 175 °C |
| Макс. рабочая температура | 175 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 48 W |
| Мин. напряжение пробоя | 100 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 2 V |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Число выводов | 2 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 180 mΩ |
| Количество в упаковке | 1000 |
| Упаковка | Россыпь |
| Рассеиваемая мощность | 3.8 W |
| Rds(on) макс. | 180 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Время восстановления | 160 ns |
| Сопротивление | 180 MΩ |
| Время нарастания | 35 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Тип вывода | SMD/SMT |
| Пороговое напряжение | 2 V |
| Время задержки выключения | 23 ns |
| Время задержки включения | 4 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | 100 V |
| Ширина | 9.65 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (12 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (4 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRL520NS — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 10 А, корпус D2PAK
- IRL520NSTRL — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, корпус D2PAK
- IRL520NSTRLPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, корпус D2PAK-3
- AUIRF540ZSTRL — N-канальный силовой MOSFET, 100 В, ток 36 А, автомобильное исполнение, корпус D2PAK, лент…
- AUIRF540ZXKMA1-VB — N-канальный автомобильный MOSFET AUIRF540Z VBsemi, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивле…
- AUIRF7640S2TR — N-канальный силовой MOSFET, 60 В, ток 5,8 А, автомобильное исполнение, корпус Direct-FET…
- AUIRFU8403 — Силовой N-канальный MOSFET HEXFET, 40 В, автомобильное исполнение AEC-Q101, корпус IPAK.
- AUIRFU8403-701TRL — Силовой N-канальный MOSFET HEXFET, 40 В, ток 100 А, корпус TO-251AA, лента.
- B100NF03L-VB TO263 — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 150 А, сопротивление канала 2.3 м…
- B100NF04 — МОП-транзистор (MOSFET) JSMICRO B100NF04, N-канал
- B100NF04-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 40 В, ток 100 А, сопротивление канала 5 мОм…
- BIG MOSFET SLIDE SWITCH HP — Слайдовый переключатель (SPDT) Pololu, для больших MOSFET-плат, версия HP