SI2301BDS-T1-E3 — купить, цена, наличие
| Наименование: | SI2301BDS-T1-E3 |
| Производитель: | Vishay |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 012241 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Ориентировочная цена за 1000 шт
Уточняем цену…
P-канальный MOSFET Vishay SI2301BDS, 20 В, ток 2.2 А, корпус SOT-23
P-канальный MOSFET транзистор SI2301BDS-T1-E3 производства компании Vishay предназначен для коммутации и управления электрическими цепями с максимальным напряжением до 20 В и током до 2.2 А. Компонент выполнен в корпусе SOT-23, что обеспечивает компактность и удобство монтажа на печатную плату.
При монтаже данного транзистора необходимо учитывать его миниатюрные размеры и особенности корпуса SOT-23. Для обеспечения надежного соединения и предотвращения термических повреждений рекомендуется использовать метод поверхностного монтажа (SMD) с соблюдением температурных режимов пайки. Также важно соблюдать полярность и последовательность подключения выводов при установке на плату.
| Корпус | SOT-23 |
| China RoHS | Соответствует |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 2.2 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -20 V |
| Сопротивление сток-исток | 100 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | -20 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 40 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 8 V |
| Высота | 1.12 mm |
| Входная ёмкость | 375 pF |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 3.04 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 700 mW |
| Мин. напряжение пробоя | 20 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | -950 mV |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Упаковка | Отрезок ленты |
| Рассеиваемая мощность | 700 mW |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 100 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 100 MΩ |
| Время нарастания | 40 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Пороговое напряжение | -950 mV |
| Время задержки выключения | 30 ns |
| Время задержки включения | 20 ns |
| Масса | 1.437803 g |
| Ширина | 1.4 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) |
Актуальные поставщики и цены — в результатах поиска по партномеру.
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- SI2301-ZE — МОП-транзистор (MOSFET) SI2301, HXY MOSFET, P-канал, корпус SOT-23
- SI2301CDS-T1-GE3 — P-канальный MOSFET Vishay SI2301CDS, 20 В, сопротивление 112 мОм при 4.5 В, корпус SOT-23…
- SI2302-HXY — МОП-транзистор (MOSFET) SI2302, HXY MOSFET, N-канал, корпус SOT-23
- SI2302CDS-T1-GE3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 20 В, сопротивление канала 0,057 Ом, корпус SOT-23
- SI2304DDS-T1-GE3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 30 В, сопротивление канала 0,06 Ом, корпус SOT-23-3
- SI2308 — N-канальный MOSFET Si2308, напряжение 60 В, ток 3 А, сопротивление канала 85 мОм при 10 В…
- SI2319 — P-канальный MOSFET Si2319, напряжение 40 В, ток 4.4 А, сопротивление канала 65 мОм, корпу…
- SI2333-HXY — N-канальный MOSFET Si2333, ток 7 А, сопротивление канала 28 мОм при 4.5 В, корпус SOT-23
- CSD17575Q3T — N-канальный силовой MOSFET NexFET 30 В, сопротивление 3,2 мОм, корпус SON 3×3 мм 8-VSON-C…
- CSD86330Q3D — Сдвоенный N-канальный MOSFET, 20 А, 25 В, сопротивление 4,6 мОм, корпус SON.
- DMG4466SSS-13 — N-канальный силовой MOSFET, 30 В, 10 А, сопротивление открытого канала 0,015 Ом, корпус S…
- DMG4496SSS-13 — N-канальный MOSFET, 30 В, сопротивление канала 29 мОм, заряд затвора 4,7 нКл, мощность 1,…