Infineon BSO220N03MDGXUMA1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon BSO220N03MDGXUMA1 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 006487 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Сдвоенный N-канальный MOSFET в одном корпусе, 30 В, ток 7,7 А, корпус DSO-8, лента.
Infineon BSO220N03MDGXUMA1 представляет собой сдвоенный N-канальный полевой транзистор типа MOSFET, заключённый в компактный корпус DSO-8. Работает при напряжении до 30 В и способен пропускать ток до 7,7 А. Компонент поставляется на ленте, что удобно для автоматизированного монтажа и использования в крупносерийном производстве.
Сдвоенные MOSFET находят применение в автомобильной электронике, источниках питания и инверторах для солнечных батарей. В автомобильной отрасли требуется высокая устойчивость к вибрациям и температурным перепадам, а также соответствие строгим экологическим стандартам. Для источников питания важны низкий уровень потерь и эффективность преобразования энергии.
| China RoHS | Соответствует |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 5.8 A |
| Сопротивление сток-исток | 22 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Входная ёмкость | 600 pF |
| Дата выпуска | 2008-07-08 |
| Статус жизненного цикла | Снимается с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2026-09-30 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2027-03-31 |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2 W |
| Мин. напряжение пробоя | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 2 |
| Число выводов | 8 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 22 mΩ |
| Количество в упаковке | 2500 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 2 W |
| REACH SVHC | Да |
| Время нарастания | 2.8 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Позиция есть у 26 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRF640STRRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3
- IRF6646TR1 — Транзистор MOSFET N-канальный, 80 В, 12 А, корпус DirectFET (7 выводов)
- IRF6646TR1PBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 80 В, ток 12 А, корпус DirectFET (7 выводов)
- IRF6646TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 80 В, сопротивление канала 9,5 мОм, заряд затвора 5…
- IRF7103TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 50 В, ток 3 А, корпус SOIC-8
- IRF7105 — Сдвоенный N/P-канальный силовой MOSFET HEXFET, напряжение 25 В, корпус SO-8
- IRF7105PBF — Транзистор MOSFET N/P-канальный сдвоенный, 25 В, ток 3,5/2,3 А, корпус SOIC-8
- IRF7105QPBF — Транзистор MOSFET N+P-канальный сдвоенный HEXFET, 25 В, корпус SO-8
- IRF7105QTRPBF — Транзистор MOSFET N+P-канальный сдвоенный HEXFET, 25 В, корпус SO-8
- IRF7105TR — Транзистор MOSFET N+P-канальный сдвоенный HEXFET, 25 В, корпус SO-8
- IRF7105TR(UMW) — Сдвоенный N/P-канальный силовой MOSFET HEXFET, напряжение 25 В, корпус SOP-8
- IRF7105TRPBF — Транзистор MOSFET N/P-канальный сдвоенный, 25 В, ток 3,5/2,3 А, корпус SOIC-8