IRF540NPBF — купить, цена, наличие

MPN IRF540NPBF · Infineon
Наименование:IRF540NPBF
Производитель:Infineon
Категория:Полевые МОП-транзисторы
Артикул:008567
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт 19.23 ₽ Ориентир, на 26.08.2026. Точная цена — в счёте
Цены и наличие у поставщиков Запросить КП

Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 44 мОм, ток 33 А, мощность 130 Вт, корпус TO-220AB

IRF540NPBF — мощный N-канальный полевой транзистор (MOSFET) в корпусе TO-220AB. Он предназначен для работы с напряжениями до 100 В и способен выдерживать ток до 33 А. Сопротивление открытого канала составляет всего 44 мОм, что обеспечивает низкое падение напряжения и высокую эффективность при работе с большими токами. Максимальная рассеиваемая мощность этого транзистора достигает 130 Вт, что делает его подходящим для применения в мощных электронных устройствах.

Этот транзистор часто используется в импульсных источниках питания, инверторах, контроллерах электродвигателей и системах управления мощностью. Его низкое сопротивление канала минимизирует тепловыделение, а высокий допустимый ток позволяет эффективно коммутировать мощные нагрузки. При монтаже следует учитывать необходимость обеспечения хорошего теплоотвода, так как максимальная рассеиваемая мощность требует эффективного радиатора для предотвращения перегрева.

КорпусTO-220AB
China RoHSНе соответствует
Покрытие контактаОлово
Постоянный ток стока (ID)33 A
Номинальный ток27 A
Напряжение пробоя сток-исток100 V
Сопротивление сток-исток44 mΩ
Напряжение сток-исток (Vdss)100 V
Двухполярное напряжение питания100 V
Конфигурация элементовОдиночный
Время спада35 ns
Напряжение затвор-исток (Vgs)20 V
Высота8.77 mm
Входная ёмкость1.96 nF
Дата выпуска1995-09-01
Без свинцаБез свинца
Шаг выводов2.54 mm
Длина10.54 mm
Статус жизненного циклаПроизводится
Максимальная температура перехода175 °C
Макс. рабочая температура175 °C
Максимальная рассеиваемая мощность94 W
Мин. напряжение пробоя100 V
Мин. рабочая температура-55 °C
Тип монтажаМонтаж в отверстия (THT)
Номинальное Vgs4 V
Число элементов1
Число выводов3
Число выводов3
Сопротивление в открытом состоянии44 mΩ
Количество в упаковке1000
УпаковкаРоссыпь
Рассеиваемая мощность94 W
Радиационная стойкостьНет
Rds(on) макс.44 mΩ
REACH SVHCНет
Время восстановления170 ns
Сопротивление44 MΩ
Время нарастания35 ns
RoHSСоответствует
Код Schedule B8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
Тип выводаМонтаж в отверстия (THT)
Пороговое напряжение4 V
Время задержки выключения39 ns
Время задержки включения11 ns
Номинальное напряжение (DC)100 V
Ширина4.69 mm
ДокументСкачать
Информационный листСкачать (10 стр.)
Информационный листСкачать (9 стр.)
Информационный листСкачать (9 стр.)
Информационный листСкачать (9 стр.)
Информационный листСкачать (8 стр.)
Информационный листСкачать (3 стр.)
Информационный листСкачать (8 стр.)
Информационный листСкачать (8 стр.)
Информационный листСкачать (10 стр.)
Информационный листСкачать (9 стр.)
Информационный листСкачать (9 стр.)
Информационный листСкачать (11 стр.)
Информационный листСкачать (10 стр.)
Информационный листСкачать (8 стр.)
Conflict Mineral StatementСкачать
Reach StatementСкачать (6 стр.)
Rohs StatementСкачать (1 стр.)
Актуальные поставщики и цены — в результатах поиска по партномеру.

Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы

Все товары категории «Полевые МОП-транзисторы»