IRF540NPBF — купить, цена, наличие

MPN IRF540NPBF · Infineon
Наименование:IRF540NPBF
Производитель:Infineon
Категория:Полевые МОП-транзисторы
Артикул:008567
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт 5.20 ₽ Ориентир, обновлена сегодня. Точная цена — в счёте
Цены и наличие у поставщиков Запросить КП

Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 44 мОм, ток 33 А, мощность 130 Вт, корпус TO-220AB

IRF540NPBF — мощный N-канальный полевой транзистор (MOSFET) в корпусе TO-220AB. Он предназначен для работы с напряжениями до 100 В и способен выдерживать ток до 33 А. Сопротивление открытого канала составляет всего 44 мОм, что обеспечивает низкое падение напряжения и высокую эффективность при работе с большими токами. Максимальная рассеиваемая мощность этого транзистора достигает 130 Вт, что делает его подходящим для применения в мощных электронных устройствах.

Этот транзистор часто используется в импульсных источниках питания, инверторах, контроллерах электродвигателей и системах управления мощностью. Его низкое сопротивление канала минимизирует тепловыделение, а высокий допустимый ток позволяет эффективно коммутировать мощные нагрузки. При монтаже следует учитывать необходимость обеспечения хорошего теплоотвода, так как максимальная рассеиваемая мощность требует эффективного радиатора для предотвращения перегрева.

КорпусTO-220AB
China RoHSНе соответствует
Покрытие контактаОлово
Постоянный ток стока (ID)33 A
Номинальный ток27 A
Напряжение пробоя сток-исток100 V
Сопротивление сток-исток44 mΩ
Напряжение сток-исток (Vdss)100 V
Двухполярное напряжение питания100 V
Конфигурация элементовОдиночный
Время спада35 ns
Напряжение затвор-исток (Vgs)20 V
Высота8.77 mm
Входная ёмкость1.96 nF
Дата выпуска1995-09-01
Без свинцаБез свинца
Шаг выводов2.54 mm
Длина10.54 mm
Статус жизненного циклаПроизводится
Максимальная температура перехода175 °C
Макс. рабочая температура175 °C
Максимальная рассеиваемая мощность94 W
Мин. напряжение пробоя100 V
Мин. рабочая температура-55 °C
Тип монтажаМонтаж в отверстия (THT)
Номинальное Vgs4 V
Число элементов1
Число выводов3
Сопротивление в открытом состоянии44 mΩ
Количество в упаковке1000
УпаковкаРоссыпь
Рассеиваемая мощность94 W
Радиационная стойкостьНет
Rds(on) макс.44 mΩ
REACH SVHCНет
Время восстановления170 ns
Сопротивление44 MΩ
Время нарастания35 ns
RoHSСоответствует
Код Schedule B8541290080
Тип выводаМонтаж в отверстия (THT)
Пороговое напряжение4 V
Время задержки выключения39 ns
Время задержки включения11 ns
Номинальное напряжение (DC)100 V
Ширина4.69 mm
ДокументСкачать
Информационный листСкачать (10 стр.)
Информационный листСкачать (9 стр.)
Информационный листСкачать (8 стр.)
Информационный листСкачать (3 стр.)
Информационный листСкачать (11 стр.)
Актуальные поставщики и цены — в результатах поиска по партномеру.

Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы

Все товары категории «Полевые МОП-транзисторы»