IRF540NL — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRF540NL |
| Производитель: | Harris |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 012692 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET, ток 33 А, напряжение 100 В, сопротивление канала 0.044 Ом, корпус TO-262AA
N-канальный силовой МОП-транзистор серии HEXFET в корпусе TO-262 для монтажа в отверстия. Выдерживает напряжение сток-исток 100 В и непрерывный ток стока 33 А при температуре корпуса 25 °C, рассеивает до 130 Вт. Сопротивление открытого канала не превышает 44 мОм при токе 16 А и Vgs 10 В. Пороговое напряжение затвора до 4 В, допустимое Vgs ±20 В, заряд затвора до 71 нКл, входная ёмкость до 1960 пФ. Температура кристалла от -55 до 175 °C.
От logic-level MOSFET, которые полностью открываются прямо от вывода микроконтроллера, этот транзистор отличается штатным управлением от 10 В. Поэтому между контроллером и затвором нужен драйвер, причём с хорошим импульсным током, иначе при ШИМ заряд 71 нКл затянет фронты и прибор будет греться на переключениях. На таком напряжении он выгоднее IGBT: нет фиксированного падения насыщения, и коммутация быстрее. Это хороший выбор для ключей DC/DC-преобразователей, мостов управления двигателями и силовых коммутаторов, где плата рассчитана на выводной монтаж.
| Серия | HEXFET® |
| Тип МОП-транзистора | N-канальный |
| Технология | МОПФЕТ (металоксидный) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V |
| Ток непрерывного стока (Id) при 25°C | 33A (Tc) |
| Напряжение управления (макс. Rds On, мин. Rds On) | 10V |
| Rds On (макс.) при Id, Vgs | 44mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1960 pF @ 25 V |
| Мощность рассеивания (макс.) | 130W (Tc) |
| Диапазон рабочих температур | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Монтаж в отверстия (THT) |
| Корпус устройства поставщика | TO-262 |
| Корпус/Упаковка | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA |
| Статус компонента | Снят с производства |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRF540N — Транзистор MOSFET N-канальный IRF540N, корпус TO-220AB
- IRF540N-HXY — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540N, HXY MOSFET, N-канал, корпус TO-220
- IRF540N-MNS — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540N, Minos, N-канал, корпус TO-220
- IRF540N-VB — N-канальный MOSFET IRF540N VBsemi, напряжение 100 В, ток 55 А, сопротивление канала 36 мО…
- IRF540N(UMW) — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540N, UMW, N-канал, корпус TO-220
- IRF540NL-VB — N-канальный силовой MOSFET IRF540N VBsemi, напряжение 100 В, корпус TO262
- IRF540NLPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 44 мОм, ток 33 А, мощность 130…
- IRF540NPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 44 мОм, ток 33 А, мощность 130…
- IRF540NPBF транзистор — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540N, N-канал
- IRF540NPBF-ES — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540NPBF, N-канал, RoHS
- IRF540NPBF-JSM — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540N, JSMICRO, N-канал, RoHS
- IRF540NPBF-VB — N-канальный MOSFET IRF540N VBsemi, напряжение 100 В, ток 55 А, сопротивление канала 36 мО…