Infineon BSC100N03MSGATMA1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon BSC100N03MSGATMA1 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 004884 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET, 30 В, ток 41 А, мощность 30 Вт, корпус PG-TDSON-8.
Infineon BSC100N03MSGATMA1 представляет собой N-канальный силовой MOSFET, предназначенный для работы с напряжениями до 30 В и токами до 41 А. Компонент обладает мощностью рассеяния 30 Вт и выполнен в корпусе PG-TDSON-8, обеспечивающем компактные размеры и высокую эффективность теплоотвода.
В реальных условиях эксплуатации данный транзистор демонстрирует стабильные рабочие характеристики с умеренным тепловыделением благодаря эффективному корпусу и низкому сопротивлению канала. Со временем возможны незначительные изменения параметров, связанные с естественным старением полупроводникового материала, однако они остаются в пределах допустимых норм, обеспечивая длительную и надёжную работу устройства.
| China RoHS | Не соответствует |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 12 A |
| Сопротивление сток-исток | 12 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 16 V |
| Без галогенов | Без галогенов |
| Входная ёмкость | 1.3 nF |
| Дата выпуска | 2007-10-29 |
| Без свинца | Содержит свинец |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2024-09-30 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2025-03-31 |
| Макс. двухполярное напряжение питания | 30 V |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 30 W |
| Мин. напряжение пробоя | 30 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 10 mΩ |
| Количество в упаковке | 5000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 30 W |
| Rds(on) макс. | 10 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Время нарастания | 4.8 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- BSC120N03MSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET OptiMOS, 30 В, сопротивление 12 мОм, заряд затвора 15 нКл, кор…
- IRF3205STRLPBFG — МОП-транзистор (MOSFET) International Rectifier IRF3205S, N-канал, корпус TO-263, RoHS (л…
- IRF3205STRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, корпус D2PAK
- IRF3205STRPBF-VB — Транзистор MOSFET N-канальный, 60 В, ток 100 А, сопротивление канала 6 мОм, корпус TO-263
- IRF3205STRRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 55 В, сопротивление канала 8 мОм, ток 110 А, мощность 200…
- IRF4905PBF — Транзистор MOSFET P-канальный, -55 В, сопротивление канала 0,02 Ом, ток -74 А, мощность 2…
- IRF540 — Транзистор MOSFET N-канальный IRF540, 100 В, ток 22 А, корпус TO-220
- IRF540A — N-канальный силовой MOSFET onsemi IRF540A, 100 В, ток 28 А, корпус TO-220AB
- IRF540APBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540A, JSMICRO, N-канал, корпус TO-220, RoHS
- IRF540APBF-JSM — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540A, JSMICRO, N-канал, RoHS
- IRF540APBF-VB — N-канальный MOSFET IRF540A VBsemi, напряжение 100 В, ток 55 А, сопротивление канала 36 мО…
- IRF540FI — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 0,5 Ом, ток 30 А, корпус TO-22…