2N7002T — купить, цена, наличие
| Наименование: | 2N7002T |
| Производитель: | onsemi |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 007879 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
МОП-транзистор onsemi, N-канальный, 60 В, 115 мА, Rds(on) 2 Ом
Это N-канальный полевой МОП-транзистор серии 2N7002T от компании onsemi, предназначенный для коммутации и усиления сигналов. Он рассчитан на максимальное напряжение сток-исток до 60 В и способен проводить ток до 115 мА при сопротивлении канала в открытом состоянии (Rds(on)) всего 2 Ом. Компонент подходит для использования в схемах, требующих низкого энергопотребления и эффективного управления нагрузкой.
В процессе эксплуатации транзистор демонстрирует умеренный нагрев благодаря низкому сопротивлению открытого канала. С течением времени возможны незначительные изменения параметров, такие как увеличение порогового напряжения и рост сопротивления канала, однако они обычно остаются в пределах допустимого диапазона для большинства приложений. Для минимизации влияния старения рекомендуется использовать транзистор в режимах, близких к номинальным, избегая длительных перегрузок по напряжению и току.
| Корпус | SOT-523 |
| China RoHS | Соответствует |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 115 mA |
| Напряжение пробоя сток-исток | 78 V |
| Сопротивление сток-исток | 2 Ω |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 780 µm |
| Входная ёмкость | 50 pF |
| Дата выпуска | 2007-10-08 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 1.7 mm |
| Статус жизненного цикла | Снимается с производства |
| Статус жизненного цикла производителя | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago) |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 200 mW |
| Мин. напряжение пробоя | 60 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 1.76 V |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Рассеиваемая мощность | 200 mW |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 7.5 Ω |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 7.5 Ω |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541210080 |
| Пороговое напряжение | 1 V |
| Время задержки выключения | 12.5 ns |
| Время задержки включения | 5.85 ns |
| Масса | 30 mg |
| Ширина | 980 µm |
| Документ | Скачать | |
| Datasheet | Скачать (6 стр.) | |
| Datasheet | Скачать | |
| Technical Drawing | Скачать (1 стр.) | |
| Datasheet | Скачать (4 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- 2N7002 — МОП-транзистор onsemi, N-канальный, 60 В, 0,115 А, Rds(on) 7,5 Ом
- 2N7002 Транзистор — МОП-транзистор (MOSFET) 2N7002, N-канал
- 2N7002-HXY — МОП-транзистор (MOSFET) 2N7002, HXY MOSFET, N-канал, корпус SOT-23
- 2N7002,215 — МОП-транзистор Nexperia, N-канальный, 60 В, 300 мА, Rds(on) 2,8 Ом, корпус SOT-23
- 2N7002BKS,115 — МОП-транзистор Nexperia, N-канальный, 60 В, 0,3 А, автомобильное исполнение, корпус TSSOP…
- 2N7002DW — МОП-транзистор onsemi, N-канальный, режим обогащения, 60 В, 0,115 А, Rds(on) 2 Ом
- 2N7002DW H6327 — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, корпус SOT363
- 2N7002DW K72 — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 115 мА, мощность 200 мВт, кор…
- 2N7002DW-7-F — Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 0,23 А, корпус SOT-363
- 2N7002DW-7-F-JSM — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW-7-F, JSMICRO
- 2N7002DW-7-F-MS — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 300 мА, сопротивление канала…
- 2N7002DW-7-F-VB — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 350 мА, корпус SC70-6