Infineon BSC120N03MSGATMA1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon BSC120N03MSGATMA1 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 004872 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET OptiMOS, 30 В, сопротивление 12 мОм, заряд затвора 15 нКл, корпус TDSON-8.
Infineon BSC120N03MSGATMA1 представляет собой N-канальный силовой MOSFET серии OptiMOS, предназначенный для работы в цепях с напряжением до 30 В. Сопротивление канала в открытом состоянии составляет всего 12 миллиом, что обеспечивает низкое падение напряжения и минимизирует потери на нагрев. Заряд затвора равен 15 нанокулон, что влияет на скорость переключения и энергопотребление устройства. Компонент выполнен в компактном корпусе TDSON-8, удобном для поверхностного монтажа.
При подборе аналога или замене данного транзистора необходимо учитывать ключевые параметры: максимальное рабочее напряжение, сопротивление открытого канала и заряд затвора. Также важно сопоставить размеры корпуса и расположение выводов, чтобы убедиться в совместимости с имеющейся печатной платой. Дополнительное внимание стоит уделить тепловому сопротивлению и способам охлаждения, так как от этого зависит надежность работы устройства в целом.
| China RoHS | Не соответствует |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 11 A |
| Сопротивление сток-исток | 12 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Время спада | 5 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 16 V |
| Без галогенов | Без галогенов |
| Входная ёмкость | 1.1 nF |
| Дата выпуска | 2007-10-29 |
| Без свинца | Содержит свинец |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2025-09-30 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2026-03-31 |
| Макс. двухполярное напряжение питания | 30 V |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 28 W |
| Мин. напряжение пробоя | 30 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 12 mΩ |
| Количество в упаковке | 5000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 28 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 12 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Время нарастания | 4.4 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Время задержки выключения | 7 ns |
| Время задержки включения | 7.9 ns |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- BSC100N03MSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, 30 В, ток 41 А, мощность 30 Вт, корпус PG-TDSON-8.
- AO6800-HXY — МОП-транзистор (MOSFET) AO6800, HXY MOSFET, N-канал
- APT5010JVR — N-канальный силовой MOSFET, 500 В, ток 44 А, корпус SOT-227, туба.
- AUIRF540Z — N-канальный силовой MOSFET Infineon HEXFET AUIRF540Z, автомобильный (Q101), 100 В, корпус…
- AUIRF540Z-VB — N-канальный автомобильный MOSFET AUIRF540Z VBsemi, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивле…
- AUIRF540ZPBF — N-канальный автомобильный MOSFET AUIRF540Z, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивление кан…
- AUIRF540ZPBF-JSM — МОП-транзистор (автомобильный, MOSFET) AUIRF540Z, JSMICRO, N-канал, RoHS
- AUIRF540ZPBF-VB — N-канальный автомобильный MOSFET AUIRF540Z VBsemi, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивле…
- AUIRF540ZSTRL — N-канальный силовой MOSFET, 100 В, ток 36 А, автомобильное исполнение, корпус D2PAK, лент…
- AUIRF540ZXKMA1-VB — N-канальный автомобильный MOSFET AUIRF540Z VBsemi, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивле…
- AUIRF7640S2TR — N-канальный силовой MOSFET, 60 В, ток 5,8 А, автомобильное исполнение, корпус Direct-FET…
- AUIRFU8403 — Силовой N-канальный MOSFET HEXFET, 40 В, автомобильное исполнение AEC-Q101, корпус IPAK.