Infineon IRF6201TRPBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon IRF6201TRPBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 003026 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, 20 В, сопротивление канала 1,9 мОм, ток 27 А, корпус SOIC-8
Infineon IRF6201TRPBF — мощный N-канальный полевой транзистор типа MOSFET, предназначенный для коммутации и управления силовыми цепями. Он обладает низким сопротивлением открытого канала всего 1,9 мОм, что обеспечивает минимальное падение напряжения и потери мощности. При номинальном напряжении сток-исток 20 В транзистор способен пропускать ток до 27 А. Корпус SOIC-8 упрощает монтаж и интеграцию в различные электронные схемы.
Конструкция транзистора учитывает условия эксплуатации в широком диапазоне температур, обеспечивая надежную работу даже в жестких условиях. Влагостойкость и устойчивость к вибрации обусловлены герметичностью корпуса и применением высококачественных материалов, что позволяет использовать IRF6201TRPBF в промышленных и автомобильных приложениях, где важны надежность и долговечность.
| Корпус | SO |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 27 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Сопротивление сток-исток | 2.45 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 265 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 12 V |
| Высота | 1.75 mm |
| Входная ёмкость | 8.555 nF |
| Дата выпуска | 2010-04-28 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 4.9784 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2019-10-31 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2020-04-30 |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2.5 W |
| Мин. напряжение пробоя | 20 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 2.45 mΩ |
| Количество в упаковке | 4000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 2.5 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 2.45 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Время нарастания | 100 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Время задержки выключения | 320 ns |
| Время задержки включения | 29 ns |
| Ширина | 3.9878 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRF6201PBF — Транзистор MOSFET, 20 В, ток 27 А, сопротивление канала 2,5 мОм, заряд затвора 130 нКл, л…
- IRF640NS — МОП-транзистор (MOSFET) IRF640NS, N-канал
- IRF640SPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK
- IRF640STRLPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3
- IRF640STRLPBF-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 40 А, сопротивление канала 48 мО…
- IRF640STRRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3
- IRF6646TR1 — Транзистор MOSFET N-канальный, 80 В, 12 А, корпус DirectFET (7 выводов)
- IRF6646TR1PBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 80 В, ток 12 А, корпус DirectFET (7 выводов)
- IRF6646TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 80 В, сопротивление канала 9,5 мОм, заряд затвора 5…
- IRF7103TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 50 В, ток 3 А, корпус SOIC-8
- IRF7105 — Сдвоенный N/P-канальный силовой MOSFET HEXFET, напряжение 25 В, корпус SO-8
- IRF7105PBF — Транзистор MOSFET N/P-канальный сдвоенный, 25 В, ток 3,5/2,3 А, корпус SOIC-8