IRF640STRRPBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRF640STRRPBF |
| Производитель: | Vishay |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 009354 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3
IRF640STRRPBF — это мощный полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET) N-канального типа, предназначенный для работы с высоким напряжением до 200 В. Сопротивление открытого канала составляет всего 0,18 Ом, что обеспечивает низкое падение напряжения и минимальные потери на нагрев. Корпус D2PAK-3 обеспечивает надёжное охлаждение и возможность монтажа на радиатор.
Особенностью данного транзистора является сочетание высокого рабочего напряжения и низкого сопротивления канала, что делает его предпочтительным выбором для силовых цепей импульсных источников питания, инверторов и преобразователей постоянного тока. В отличие от биполярных транзисторов, он обладает более высокой скоростью переключения и меньшими потерями в открытом состоянии, что особенно важно в мощных импульсных устройствах.
| Корпус | D2PAK |
| Постоянный ток стока (ID) | 18 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Сопротивление сток-исток | 180 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 36 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 4.83 mm |
| Входная ёмкость | 1.3 nF |
| Дата выпуска | 1993-09-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 10.67 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Дата последней закупки (LTB) | 2008-06-30 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2008-09-30 |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 130 W |
| Мин. напряжение пробоя | 200 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Число выводов | 2 |
| Рассеиваемая мощность | 130 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 180 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 180 mΩ |
| Время нарастания | 51 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Время задержки выключения | 45 ns |
| Время задержки включения | 14 ns |
| Масса | 1.437803 g |
| Ширина | 9.65 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (5 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRF640STRLPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3
- IRF640STRLPBF-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 40 А, сопротивление канала 48 мО…
- IRF640SPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK
- IRF640NS — МОП-транзистор (MOSFET) IRF640NS, N-канал
- IRF6201PBF — Транзистор MOSFET, 20 В, ток 27 А, сопротивление канала 2,5 мОм, заряд затвора 130 нКл, л…
- IRF6201TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 20 В, сопротивление канала 1,9 мОм, ток 27 А, корпус SOIC-8
- IRF6646TR1 — Транзистор MOSFET N-канальный, 80 В, 12 А, корпус DirectFET (7 выводов)
- IRF6646TR1PBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 80 В, ток 12 А, корпус DirectFET (7 выводов)
- IRF6646TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 80 В, сопротивление канала 9,5 мОм, заряд затвора 5…
- TZ240N36KOFS1 — Кремниевый управляемый выпрямитель (тиристор) Infineon серии TZ240N36
- TZ240N36KOFS1HPSA1 — N-канальный силовой MOSFET Infineon, напряжение 40 В, ток 75 А, корпус LFPAK
- TZ240N36KOFS2HPSA1 — N-канальный силовой MOSFET Infineon Semiconductor, напряжение 40 В, ток 35.3 А, корпус LF…