Infineon IRF6646TR1PBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon IRF6646TR1PBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 004150 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, 80 В, ток 12 А, корпус DirectFET (7 выводов)
Infineon IRF6646TR1PBF — это мощный полевой транзистор типа MOSFET с N-каналом, рассчитанный на максимальное напряжение сток-исток до 80 В и ток до 12 А. Корпус DirectFET с семью выводами обеспечивает компактные размеры и хороший теплоотвод, подходит для поверхностного монтажа.
При проектировании схемы важно правильно подобрать радиатор и обеспечить эффективный отвод тепла, так как недостаточное охлаждение может привести к перегреву и выходу транзистора из строя. Также распространённой ошибкой является неправильная установка и подключение защитных диодов, что может вызвать пробой транзистора при работе с индуктивной нагрузкой.
| Постоянный ток стока (ID) | 12 A |
| Номинальный ток | 12 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Сопротивление сток-исток | 9.5 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V |
| Двухполярное напряжение питания | 80 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 12 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 506 µm |
| Входная ёмкость | 2.06 nF |
| Дата выпуска | 2005-06-08 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 6.35 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2014-06-20 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2014-12-20 |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2.8 W |
| Мин. напряжение пробоя | 80 V |
| Мин. рабочая температура | -40 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 3 V |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 5 |
| Число выводов | 2 |
| Рассеиваемая мощность | 89 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 9.5 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Время восстановления | 54 ns |
| Сопротивление | 9.5 MΩ |
| Время нарастания | 20 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Тип вывода | SMD/SMT |
| Пороговое напряжение | 3 V |
| Время задержки выключения | 31 ns |
| Время задержки включения | 17 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | 80 V |
| Ширина | 5.05 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRF6646TR1 — Транзистор MOSFET N-канальный, 80 В, 12 А, корпус DirectFET (7 выводов)
- IRF6646TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 80 В, сопротивление канала 9,5 мОм, заряд затвора 5…
- IRF6201PBF — Транзистор MOSFET, 20 В, ток 27 А, сопротивление канала 2,5 мОм, заряд затвора 130 нКл, л…
- IRF6201TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 20 В, сопротивление канала 1,9 мОм, ток 27 А, корпус SOIC-8
- IRF640NS — МОП-транзистор (MOSFET) IRF640NS, N-канал
- IRF640SPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK
- IRF640STRLPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3
- IRF640STRLPBF-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 40 А, сопротивление канала 48 мО…
- IRF640STRRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3
- 2N7002 — МОП-транзистор onsemi, N-канальный, 60 В, 0,115 А, Rds(on) 7,5 Ом
- 2N7002 Транзистор — МОП-транзистор (MOSFET) 2N7002, N-канал
- 2N7002-HXY — МОП-транзистор (MOSFET) 2N7002, HXY MOSFET, N-канал, корпус SOT-23