IRF640NS — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRF640NS |
| Производитель: | VBsemi |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 013485 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
МОП-транзистор (MOSFET) IRF640NS, N-канал
МОП-транзистор IRF640NS с N-каналом предназначен для работы в ключевых и линейных режимах в различных электронных устройствах. Этот компонент является мощным полупроводниковым прибором, обладающим высокой скоростью переключения и низким сопротивлением в открытом состоянии. Н-канал обеспечивает эффективное управление током нагрузки при минимальных потерях энергии.
В процессе эксплуатации IRF640NS выделяется значительное количество тепла, особенно при работе на высоких токах и напряжениях. Для предотвращения перегрева и продления срока службы транзистора необходимо обеспечить эффективный теплоотвод. Воздействие повышенных температур может привести к постепенной деградации параметров транзистора, снижению его пробивного напряжения и увеличению сопротивления в открытом состоянии.
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRF640SPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK
- IRF640STRLPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3
- IRF640STRLPBF-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 40 А, сопротивление канала 48 мО…
- IRF640STRRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3
- IRF6201PBF — Транзистор MOSFET, 20 В, ток 27 А, сопротивление канала 2,5 мОм, заряд затвора 130 нКл, л…
- IRF6201TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 20 В, сопротивление канала 1,9 мОм, ток 27 А, корпус SOIC-8
- IRF6646TR1 — Транзистор MOSFET N-канальный, 80 В, 12 А, корпус DirectFET (7 выводов)
- IRF6646TR1PBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 80 В, ток 12 А, корпус DirectFET (7 выводов)
- IRF6646TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 80 В, сопротивление канала 9,5 мОм, заряд затвора 5…
- DMN62D0U-7 — N-канальный силовой MOSFET, 60 В, ток 380 мА, сопротивление канала 2 Ом, корпус SOT-23.
- DMP4050SSS-13 — P-канальный силовой MOSFET, 40 В, ток 4,4 А, сопротивление канала 0,038 Ом, корпус SOIC.
- DN2450K4-G — N-канальный MOSFET, 500 В, ток 350 мА, мощность 2,5 Вт, корпус TO-252 (DPAK).