Diodes Inc. DMP4050SSS-13 — купить, цена, наличие
| Наименование: | Diodes Inc. DMP4050SSS-13 |
| Производитель: | Diodes Inc. |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 002514 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
P-канальный силовой MOSFET, 40 В, ток 4,4 А, сопротивление канала 0,038 Ом, корпус SOIC.
DMP4050SSS-13 — это P-канальный силовой полевой транзистор MOSFET производства компании Diodes Inc., предназначенный для коммутации и управления мощными нагрузками. Компонент обладает максимальным напряжением сток-исток 40 В, выдерживает постоянный ток до 4,4 А и имеет низкое сопротивление открытого канала всего 0,038 Ом, что обеспечивает минимальное падение напряжения и потери энергии при работе. Корпус SOIC удобен для поверхностного монтажа и обеспечивает хороший отвод тепла.
В реальных условиях эксплуатации данный транзистор демонстрирует умеренный нагрев при работе с допустимыми токами, что позволяет использовать его без дополнительного охлаждения в большинстве приложений. Со временем параметры транзистора могут незначительно изменяться из-за естественного старения полупроводникового перехода, однако благодаря высокой стабильности характеристик и качественному исполнению от производителя Diodes Inc., деградация параметров происходит медленно и обычно не оказывает значительного влияния на работу схемы.
| Корпус | SO |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 4.4 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -40 V |
| Сопротивление сток-исток | 50 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 12.6 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 1.5 mm |
| Входная ёмкость | 674 pF |
| Дата выпуска | 2010-03-09 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 5 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2.8 W |
| Мин. напряжение пробоя | 40 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 2.8 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 50 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Время нарастания | 3.1 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Время задержки выключения | 31.5 ns |
| Время задержки включения | 1.9 ns |
| Масса | 73.992255 mg |
| Ширина | 4 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Технический чертеж | Скачать (5 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (127 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRF540A — N-канальный силовой MOSFET onsemi IRF540A, 100 В, ток 28 А, корпус TO-220AB
- IRF540APBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540A, JSMICRO, N-канал, корпус TO-220, RoHS
- IRF540APBF-JSM — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540A, JSMICRO, N-канал, RoHS
- IRF540APBF-VB — N-канальный MOSFET IRF540A VBsemi, напряжение 100 В, ток 55 А, сопротивление канала 36 мО…
- IRF540FI — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 0,5 Ом, ток 30 А, корпус TO-22…
- IRF540FI-JSM — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540FI, JSMICRO, N-канал
- IRF540FI-VB — N-канальный MOSFET IRF540FI VBsemi, напряжение 100 В, ток 50 А, сопротивление канала 40 м…
- IRF540N — Транзистор MOSFET N-канальный IRF540N, корпус TO-220AB
- IRF540N-HXY — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540N, HXY MOSFET, N-канал, корпус TO-220
- IRF540N-MNS — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540N, Minos, N-канал, корпус TO-220
- IRF540N-VB — N-канальный MOSFET IRF540N VBsemi, напряжение 100 В, ток 55 А, сопротивление канала 36 мО…
- IRF540N(UMW) — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540N, UMW, N-канал, корпус TO-220