CSD16401Q5(ES) — купить, цена, наличие
| Наименование: | CSD16401Q5(ES) |
| Производитель: | Texas Instruments |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 011511 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
МОП-транзистор (MOSFET) CSD16401Q5, N-канал
МОП-транзистор (MOSFET) CSD16401Q5 относится к типу N-канальных транзисторов, предназначенных для управления электрическими цепями и коммутации нагрузок. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала и высокой скорости переключения, он обеспечивает эффективное управление мощными нагрузками, минимизируя потери энергии.
При проектировании печатной платы с использованием данного транзистора рекомендуется уделять особое внимание трассировке силовых линий. С целью снижения индуктивности и повышения устойчивости схемы силовые дорожки должны быть максимально широкими и короткими, а также необходимо минимизировать количество изгибов и переходов слоев. Это позволит снизить уровень помех и повысить надежность устройства.
| Серия | NexFET™ |
| Тип МОП-транзистора | N-канальный |
| Технология | МОПФЕТ (металоксидный) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 25 V |
| Ток непрерывного стока (Id) при 25°C | 38A (Ta), 100A (Tc) |
| Напряжение управления (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (макс.) при Id, Vgs | 1.6mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 1.9V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 29 nC @ 4.5 V |
| Vgs (макс.) | +16V, -12V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4100 pF @ 12.5 V |
| Мощность рассеивания (макс.) | 3.1W (Ta) |
| Диапазон рабочих температур | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Корпус устройства поставщика | 8-VSON-CLIP (5x6) |
| Корпус/Упаковка | 8-PowerTDFN |
| Статус компонента | Активен |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- CSD16401Q5 — N-канальный силовой MOSFET NexFET 25 В, сопротивление 2,3 мОм, корпус SON 5×6 мм 8-VSON-C…
- CSD16401Q5-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 160 А, сопротивление канала 1.8 м…
- CSD16401Q5T — N-канальный силовой MOSFET NexFET 25 В, сопротивление 2,3 мОм, корпус SON 5×6 мм 8-VSON-C…
- CSD17575Q3T — N-канальный силовой MOSFET NexFET 30 В, сопротивление 3,2 мОм, корпус SON 3×3 мм 8-VSON-C…
- IRF9640STRLPBF-VB — Транзистор MOSFET P-канальный, -200 В, -11 А, сопротивление канала 0,50 Ом
- IRF9640STRPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRF9640, JSMICRO, P-канал, корпус TO-220, лента
- IRF9640STRPBF-JSM — МОП-транзистор (MOSFET) IRF9640STRPBF, JSMICRO, P-канал, RoHS
- IRFH5053TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, сопротивление канала 18 мОм, заряд затвора 2…
- IRFL110 — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 1,5 А, корпус SOT-223
- IRFL110PBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 0,54 Ом, корпус SOT-223
- IRFL110TR — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 1,5 А, корпус SOT-223 (4 вывода)
- IRFL110TR FB. — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, 1,5 А, корпус SOT-223 (4 вывода)