Texas Instruments CSD17575Q3T — купить, цена, наличие

MPN CSD17575Q3T · Texas Instruments
Наименование:Texas Instruments CSD17575Q3T
Производитель:Texas Instruments
Категория:Полевые МОП-транзисторы
Артикул:003125
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт 73.18 ₽ Ориентир, обновлена сегодня. Точная цена — в счёте
Цены и наличие у поставщиков Запросить КП

N-канальный силовой MOSFET NexFET 30 В, сопротивление 3,2 мОм, корпус SON 3×3 мм 8-VSON-CLIP.

Texas Instruments CSD17575Q3T — это N-канальный силовой MOSFET серии NexFET, рассчитанный на напряжение до 30 В. Сопротивление канала в открытом состоянии составляет всего 3,2 мОм, что обеспечивает низкое падение напряжения и эффективное охлаждение. Корпус SON размером 3×3 мм (8-VSON-CLIP) оптимален для поверхностного монтажа и позволяет экономить место на плате.

Такой транзистор используется в схемах, требующих эффективного переключения и управления большими токами при минимальных потерях энергии. Например, он подходит для импульсных источников питания, драйверов электродвигателей и схем защиты от перегрузок. При расчёте схемы важно учитывать максимально допустимый ток стока, тепловое сопротивление перехода корпус/окружающая среда и рекомендуемые значения внешних компонентов, таких как диоды и дроссели.

Покрытие контактаОлово
Постоянный ток стока (ID)182 A
Напряжение пробоя сток-исток30 V
Сопротивление сток-исток2.6 mΩ
Напряжение сток-исток (Vdss)30 V
Конфигурация элементовОдиночный
Время спада3 ns
Напряжение затвор-исток (Vgs)20 V
Высота1.1 mm
Входная ёмкость4.42 nF
Без свинцаСодержит свинец
Длина3.3 mm
Статус жизненного циклаПроизводится
Статус жизненного цикла производителяАктивен
Максимальная температура перехода150 °C
Макс. рабочая температура150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность108 W
Мин. рабочая температура-55 °C
Тип монтажаПоверхностный монтаж (SMD)
Количество каналов1
Число выводов8
УпаковкаЛента на катушке
Рассеиваемая мощность2.8 W
Rds(on) макс.2.3 mΩ
REACH SVHCНет
Время нарастания10 ns
RoHSСоответствует
Код Schedule B8541290080
Толщина1 mm
Пороговое напряжение1.4 V
Время задержки выключения20 ns
Время задержки включения4 ns
Масса24.012046 mg
Ширина3.3 mm
ДокументСкачать
Official datasheetСкачать
Информационный листСкачать (15 стр.)
Информационный листСкачать (13 стр.)
Информационный листСкачать (16 стр.)
Информационный листСкачать (17 стр.)
Reach StatementСкачать (7 стр.)
Актуальные поставщики и цены — в результатах поиска по партномеру.

Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы

Все товары категории «Полевые МОП-транзисторы»