BSC050N03LSGATMA1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | BSC050N03LSGATMA1 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 011424 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET, 30 В, ток 66 А, мощность 50 Вт, корпус PG-TDSON-8.
Infineon BSC050N03LSGATMA1 — это мощный N-канальный полевой транзистор типа MOSFET с максимальным напряжением сток-исток 30 В и током до 66 А. Корпус PG-TDSON-8 обеспечивает высокую мощность рассеяния до 50 Вт, что делает данный транзистор подходящим для управления большими нагрузками в силовых цепях.
В отличие от IGBT-транзисторов, которые также используются в мощных схемах, MOSFET обладает более высоким быстродействием и низким уровнем потерь в открытом состоянии. Он предпочтителен в приложениях, требующих высокой эффективности преобразования энергии и быстрой коммутации, таких как импульсные источники питания и инверторы для электромобилей.
| China RoHS | Не соответствует |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 18 A |
| Сопротивление сток-исток | 7.5 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Без галогенов | Без галогенов |
| Входная ёмкость | 2.1 nF |
| Дата выпуска | 2007-03-05 |
| Без свинца | Содержит свинец |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. двухполярное напряжение питания | 30 V |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 48 W |
| Мин. напряжение пробоя | 30 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 5 mΩ |
| Количество в упаковке | 5000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 48 W |
| Rds(on) макс. | 5 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Время нарастания | 4 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Пороговое напряжение | 2.2 V |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- BSC050N03LSGATMA1-HXY — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LS, HXY MOSFET, N-канал, корпус TDSON
- BSC050N03LSGATMA1-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 45 А, сопротивление канала 4.4 мО…
- BSC050N03LSGA — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSGA, N-канал
- BSC050N03LSG — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSG, N-канал
- BSC050N03LSG-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление канала 3 мОм…
- BSC050N03LS G — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSG, N-канал
- BSC050N03LS G-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление канала 3 мОм…
- BSC034N10LS5ATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 100 В, ток 100 А, сопротивление 3,4 мОм, корпус TD…
- BSC034N10LS5ATMA1-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 100 В, ток 180 А, корпус DFN5X6-8L
- BSC042N03MSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, 30 В, ток 82 А, мощность 57 Вт, корпус PG-TDSON-8.
- H2N7002DWS7 — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, HXY MOSFET, корпус SOT363, лента
- HD2305 — Транзистор MOSFET P-канальный, 12 В, ток 3,5-4,1 А, сопротивление канала 45 мОм, корпус S…