BSC050N03LSGATMA1-HXY — купить, цена, наличие
| Наименование: | BSC050N03LSGATMA1-HXY |
| Производитель: | HXY MOSFET |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 011425 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LS, HXY MOSFET, N-канал, корпус TDSON
МОП-транзистор BSC050N03LS производства HXY MOSFET предназначен для работы в электронных схемах с N-каналом. Компонент выполнен в корпусе TDSON, что обеспечивает компактные габариты и хорошие тепловые характеристики. Этот транзистор отличается высокой эффективностью и надежностью, что делает его подходящим для использования в различных приложениях, требующих управления мощными нагрузками.
При подборе аналога данного транзистора необходимо учитывать следующие параметры: тип канала (N-канал), корпусную совместимость с TDSON, а также электрические характеристики, такие как напряжение сток-исток, ток стока и сопротивление открытого канала. Несоблюдение этих параметров может привести к некорректной работе устройства или выходу из строя транзистора.
| Характеристики не указаны. |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- BSC050N03LSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, 30 В, ток 66 А, мощность 50 Вт, корпус PG-TDSON-8.
- BSC050N03LSGATMA1-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 45 А, сопротивление канала 4.4 мО…
- BSC050N03LSGA — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSGA, N-канал
- BSC050N03LSG — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSG, N-канал
- BSC050N03LSG-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление канала 3 мОм…
- BSC050N03LS G — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSG, N-канал
- BSC050N03LS G-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление канала 3 мОм…
- BSC034N10LS5ATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 100 В, ток 100 А, сопротивление 3,4 мОм, корпус TD…
- BSC034N10LS5ATMA1-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 100 В, ток 180 А, корпус DFN5X6-8L
- BSC042N03MSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, 30 В, ток 82 А, мощность 57 Вт, корпус PG-TDSON-8.
- 2N7002DWH6327-MS — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 300 мА, сопротивление канала…
- 2N7002DWH6327XT — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, корпус SOT-363, SMD