BSC050N03LSGATMA1-VB — купить, цена, наличие
| Наименование: | BSC050N03LSGATMA1-VB |
| Производитель: | VBsemi |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 011428 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 45 А, сопротивление канала 4.4 мОм при 10 В, корпус DFN 5х6 мм
VBsemi BSC050N03LSGATMA1-VB — это N-канальный силовой MOSFET, предназначенный для работы в цепях с напряжением до 30 В. Он обладает низким сопротивлением открытого канала 4.4 мОм при напряжении затвора 10 В, обеспечивая эффективное управление высокими токами до 45 А. Корпус DFN размером 5х6 мм оптимален для поверхностного монтажа и позволяет минимизировать занимаемую площадь на плате.
Такой транзистор используется в схемах, требующих эффективного переключения или управления большими токами, например, в источниках питания, инверторах, зарядных устройствах и других силовых приложениях. Сопротивление канала играет ключевую роль в расчёте потерь мощности и теплового режима устройства, поэтому при проектировании необходимо учитывать этот параметр наряду с максимальным током и напряжением.
| Характеристики не указаны. |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- BSC050N03LSGATMA1 — BSC050N03LSGATMA1
- BSC050N03LSGATMA1-HXY — BSC050N03LSGATMA1-HXY
- BSC050N03LSGA — BSC050N03LSGA
- BSC050N03LSG — BSC050N03LSG
- BSC050N03LSG-VB — BSC050N03LSG-VB
- BSC050N03LS G — BSC050N03LS G
- BSC050N03LS G-VB — BSC050N03LS G-VB
- BSC034N10LS5ATMA1 — BSC034N10LS5ATMA1
- BSC034N10LS5ATMA1-VB — BSC034N10LS5ATMA1-VB
- BSC042N03MSGATMA1 — Infineon BSC042N03MSGATMA1
- IRL640S — IRL640S
- IRL640S-VB — IRL640S-VB