BSC050N03LSG-VB — купить, цена, наличие
| Наименование: | BSC050N03LSG-VB |
| Производитель: | VBsemi |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 011423 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление канала 3 мОм при 10 В, корпус DFN8 5х6 мм
N-канальный силовой MOSFET BSC050N03LSG-VB производства компании VBsemi предназначен для работы в цепях с напряжением до 30 В и способен пропускать ток до 120 А при минимальном сопротивлении канала всего 3 мОм при напряжении затвора 10 В. Компонент выполнен в компактном корпусе DFN8 размером 5x6 мм, что позволяет экономить место на плате и упрощает интеграцию в современные схемы.
При использовании данного транзистора распространённой ошибкой является недооценка теплового режима из-за высокого тока. Несмотря на низкое сопротивление канала, при работе с токами, близкими к предельным, необходимо обеспечить эффективное охлаждение и правильное расположение компонентов на плате, чтобы избежать перегрева и выхода транзистора из строя.
| Характеристики не указаны. |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Позиция есть у 2 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- BSC050N03LSG — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSG, N-канал
- BSC050N03LSGA — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSGA, N-канал
- BSC050N03LSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, 30 В, ток 66 А, мощность 50 Вт, корпус PG-TDSON-8.
- BSC050N03LSGATMA1-HXY — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LS, HXY MOSFET, N-канал, корпус TDSON
- BSC050N03LSGATMA1-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 45 А, сопротивление канала 4.4 мО…
- BSC050N03LS G — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSG, N-канал
- BSC050N03LS G-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление канала 3 мОм…
- BSC034N10LS5ATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 100 В, ток 100 А, сопротивление 3,4 мОм, корпус TD…
- BSC034N10LS5ATMA1-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 100 В, ток 180 А, корпус DFN5X6-8L
- BSC042N03MSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, 30 В, ток 82 А, мощность 57 Вт, корпус PG-TDSON-8.
- B100NF04 — МОП-транзистор (MOSFET) JSMICRO B100NF04, N-канал
- B100NF04-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 40 В, ток 100 А, сопротивление канала 5 мОм…