BSC034N10LS5ATMA1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | BSC034N10LS5ATMA1 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 011694 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET, напряжение 100 В, ток 100 А, сопротивление 3,4 мОм, корпус TDSON, SMD.
Infineon BSC034N10LS5ATMA1 представляет собой N-канальный силовой MOSFET, предназначенный для работы с напряжениями до 100 В и токами до 100 А. Устройству присуще низкое сопротивление канала в открытом состоянии — всего 3,4 мОм, что обеспечивает низкий уровень потерь мощности и эффективное охлаждение. Изготовлен в корпусе TDSON для поверхностного монтажа (SMD), что облегчает интеграцию в современные печатные платы.
По сравнению с биполярными транзисторами, данный тип MOSFET обладает более высоким КПД благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии и способности работать с большими токами. Он подходит для применения в импульсных источниках питания, инверторах, контроллерах двигателей и других устройствах, где важны высокая мощность и эффективность. При этом по сравнению с IGBT, он выигрывает в быстродействии и простоте управления, но может уступать по напряжению пробоя.
| China RoHS | Не соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 100 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Сопротивление сток-исток | 3.4 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 1.1 mm |
| Дата выпуска | 2019-05-10 |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 156 W |
| Мин. напряжение пробоя | 100 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 5 |
| Рассеиваемая мощность | 156 W |
| REACH SVHC | Нет |
| RoHS | Соответствует |
| Время задержки выключения | 40 ns |
| Время задержки включения | 9.6 ns |
| Документ | Скачать | |
| Datasheet | Скачать (12 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- BSC034N10LS5ATMA1-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 100 В, ток 180 А, корпус DFN5X6-8L
- BSC042N03MSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, 30 В, ток 82 А, мощность 57 Вт, корпус PG-TDSON-8.
- BSC050N03LS G — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSG, N-канал
- BSC050N03LS G-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление канала 3 мОм…
- BSC050N03LSG — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSG, N-канал
- BSC050N03LSG-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление канала 3 мОм…
- BSC050N03LSGA — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSGA, N-канал
- BSC050N03LSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, 30 В, ток 66 А, мощность 50 Вт, корпус PG-TDSON-8.
- BSC050N03LSGATMA1-HXY — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LS, HXY MOSFET, N-канал, корпус TDSON
- BSC050N03LSGATMA1-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 45 А, сопротивление канала 4.4 мО…
- BSZ900N20NS3G — МОП-транзистор (MOSFET) BSZ900N20NS3G, N-канал
- BSZ900N20NS3GATMA1 — N-канальный MOSFET 200 В, 15,2 А, рассеиваемая мощность 62,5 Вт, корпус PG-TSDSON-8.