Infineon BSC042N03MSGATMA1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon BSC042N03MSGATMA1 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 004879 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET, 30 В, ток 82 А, мощность 57 Вт, корпус PG-TDSON-8.
Infineon BSC042N03MSGATMA1 представляет собой мощный N-канальный полевой МОП-транзистор (MOSFET), рассчитанный на работу при напряжении до 30 В и способный пропускать ток до 82 А. Корпус PG-TDSON-8 обеспечивает компактные габариты и эффективную теплоотдачу, что позволяет использовать транзистор в устройствах с высокой плотностью монтажа и тепловыми ограничениями. Мощность рассеяния составляет 57 Вт, что делает его подходящим для применения в силовых цепях с высокими нагрузками.
Данный транзистор может использоваться в импульсных источниках питания (SMPS) для управления силовыми ключами, в инверторах и преобразователях постоянного тока для регулирования напряжения и тока, а также в системах управления электродвигателями для коммутации мощных нагрузок. Его применение позволяет повысить эффективность преобразования энергии и снизить потери на тепловыделение при работе в условиях высоких токовых нагрузок.
| China RoHS | Не соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 17 A |
| Сопротивление сток-исток | 5.4 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Без галогенов | Без галогенов |
| Входная ёмкость | 3.2 nF |
| Дата выпуска | 2007-10-29 |
| Без свинца | Содержит свинец |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2025-09-30 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2026-03-31 |
| Макс. двухполярное напряжение питания | 30 V |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 57 W |
| Мин. напряжение пробоя | 30 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 4.2 mΩ |
| Количество в упаковке | 5000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 57 W |
| Rds(on) макс. | 4.2 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Время нарастания | 8 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Время задержки выключения | 19 ns |
| Время задержки включения | 16 ns |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- BSC034N10LS5ATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 100 В, ток 100 А, сопротивление 3,4 мОм, корпус TD…
- BSC034N10LS5ATMA1-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 100 В, ток 180 А, корпус DFN5X6-8L
- BSC050N03LS G — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSG, N-канал
- BSC050N03LS G-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление канала 3 мОм…
- BSC050N03LSG — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSG, N-канал
- BSC050N03LSG-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление канала 3 мОм…
- BSC050N03LSGA — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSGA, N-канал
- BSC050N03LSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, 30 В, ток 66 А, мощность 50 Вт, корпус PG-TDSON-8.
- BSC050N03LSGATMA1-HXY — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LS, HXY MOSFET, N-канал, корпус TDSON
- BSC050N03LSGATMA1-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 45 А, сопротивление канала 4.4 мО…
- IRFP31N50LPBF — N-канальный силовой MOSFET 500 В, сопротивление открытого канала 0.18 Ом, корпус TO-247AC
- IRFR3806 — Силовой полевой транзистор Infineon IRFR3806