IRL640S — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRL640S |
| Производитель: | Vishay |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 009351 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 200 В, ток 17 А, корпус D2PAK, Vishay
IRL640S — мощный N-канальный полевой транзистор HEXFET производства компании Vishay. Он рассчитан на работу с напряжением до 200 В и способен выдерживать ток до 17 А. Корпус D2PAK обеспечивает эффективное охлаждение и возможность применения в устройствах с высокими тепловыми нагрузками.
При проектировании печатной платы с использованием этого транзистора рекомендуется уделить особое внимание трассировке питания и земли. Широкие дорожки помогут снизить падение напряжения и потери мощности, а также обеспечат надежный теплоотвод от корпуса D2PAK. Не забудьте предусмотреть достаточный зазор между силовыми дорожками и другими элементами схемы для предотвращения пробоя изоляции.
| Корпус | TO-263-3 |
| Постоянный ток стока (ID) | 17 A |
| Номинальный ток | 17 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Сопротивление сток-исток | 180 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 52 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 10 V |
| Высота | 4.83 mm |
| Входная ёмкость | 1.8 nF |
| Дата выпуска | 1994-05-01 |
| Без свинца | Содержит свинец |
| Длина | 10.67 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2008-06-30 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2008-09-30 |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 125 W |
| Мин. напряжение пробоя | 200 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Число выводов | 2 |
| Упаковка | Россыпь |
| Rds(on) макс. | 180 mΩ |
| Время нарастания | 83 ns |
| RoHS | Не соответствует |
| Время задержки выключения | 44 ns |
| Время задержки включения | 8 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | 200 V |
| Масса | 1.437803 g |
| Ширина | 9.65 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (5 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRL640S-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 40 А, сопротивление канала 48 мО…
- IRL640SPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3, Vishay
- IRL640STRLPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3
- IRL640STRLPBF-JSM — МОП-транзистор (MOSFET) IRL640STRLPBF, JSMICRO, N-канал, RoHS
- STD12N60DM6 — MOSFET STMicroelectronics, N-канал, 600 В, 10 А, корпус TO-252, RoHS
- STE53NC50 — N-канальный силовой MOSFET STMicroelectronics STE53NC50 PowerMESH II, 500 В, сопротивлени…
- STF20N95K5 — N-канальный силовой MOSFET STMicroelectronics STF20N95 MDmesh K5, 950 В, сопротивление 0.…
- STP100NF03L-03 — N-канальный силовой MOSFET StripFET II, напряжение 30 В, ток 100 А, сопротивление канала…
- STP100NF03L-03-VB — N-канальный силовой MOSFET STP100NF03L VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление…
- STP100NF04 — Транзистор MOSFET N-канальный STripFET II, 40 В, сопротивление канала 4,3 мОм, ток 120 А,…
- STRH100N10HY1 — N-канальный силовой MOSFET STMicroelectronics STRH100N10, 100 В, ток 48 А, корпус TO-254AA
- STU5N95K3 — Транзистор MOSFET N-канальный SuperMESH3 с защитой стабилитроном, 950 В, 4 А, сопротивлен…