IRL640STRLPBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRL640STRLPBF |
| Производитель: | Vishay |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 009322 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3
IRL640STRLPBF – это мощный полевой транзистор с N-каналом, выполненный в корпусе D2PAK-3. Он предназначен для работы с напряжениями до 200 В и обладает низким сопротивлением открытого канала всего 0,18 Ом. Данный прибор обеспечивает эффективное управление большими токами и высокую скорость переключения, что делает его подходящим выбором для применения в силовых цепях.
В практике этот транзистор используется в импульсных источниках питания, инверторах напряжения, драйверах электродвигателей и схемах управления индуктивными нагрузками. Здесь он выполняет функции силового ключа, обеспечивая коммутацию мощных нагрузок с минимальными потерями энергии и высокой эффективностью преобразования.
| Корпус | D2PAK |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 17 A |
| Ток | 17 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Сопротивление сток-исток | 180 mΩ |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 52 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 10 V |
| Высота | 4.83 mm |
| Входная ёмкость | 4.39 nF |
| Дата выпуска | 1994-05-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 10.67 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 125 W |
| Мин. напряжение пробоя | 200 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Число выводов | 2 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 3.1 W |
| Радиационное упрочнение | Нет |
| Rds(on) макс. | 2.7 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 180 mΩ |
| Время нарастания | 83 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Время задержки выключения | 44 ns |
| Время задержки включения | 8 ns |
| Напряжение | 200 V |
| Масса | 1.437803 g |
| Ширина | 9.65 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (5 стр.) |
Позиция есть у 25 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRL640STRLPBF-JSM — МОП-транзистор (MOSFET) IRL640STRLPBF, JSMICRO, N-канал, RoHS
- IRL640S — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 200 В, ток 17 А, корпус D2PAK, Vishay
- IRL640S-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 200 В, ток 40 А, сопротивление канала 48 мО…
- IRL640SPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 200 В, сопротивление канала 0,18 Ом, корпус D2PAK-3, Vishay
- 2N7002DW-TP-VB — Сдвоенный N-канальный MOSFET VBsemi 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 0.35 А, сопротивление…
- 2N7002DW-VB — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, корпус SC70-6
- 2N7002DW1T1G — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, onsemi, корпус SOT363, лента
- 2N7002DWH6327 — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, JGSEMI, корпус SOT363
- 2N7002DWH6327-MS — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 300 мА, сопротивление канала…
- 2N7002DWH6327XT — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, корпус SOT-363, SMD
- 2N7002DWH6327XTSA1 — Сборка МОП-транзисторов Infineon, N-канальные, 60 В, 0,3 А, корпус SOT-363
- 2N7002DWK-7 — Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 261 мА, корпус SOT-363