BSZ900N20NS3GATMA1-VB — купить, цена, наличие

MPN BSZ900N20NS3GATMA1-VB · VBsemi
Наименование:BSZ900N20NS3GATMA1-VB
Производитель:VBsemi
Категория:Полевые МОП-транзисторы
Артикул:011712
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт 120.95 ₽ Ориентир, на 15.10.2026. Точная цена — в счёте
Цены и наличие у поставщиков Запросить КП

N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение сток-исток 200 В, корпус DFN8 3х3 мм

N-канальный силовой MOSFET BSZ900N20NS3GATMA1-VB производства компании VBsemi предназначен для работы в цепях с высоким напряжением. Его ключевой параметр — напряжение сток-исток до 200 В, что позволяет использовать транзистор в мощных схемах. Корпус DFN8 размером 3х3 мм обеспечивает компактность монтажа и хорошую теплопроводность.

Данный транзистор применяется в импульсных источниках питания, инверторах, преобразователях постоянного тока и других силовых электронных устройствах. В этих системах он выполняет функции ключа или регулятора мощности, обеспечивая эффективное управление потоками энергии и защиту от перегрузок. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии и высокой скорости переключения, транзистор подходит для схем с высокими требованиями к энергоэффективности и быстродействию.

Напряжение сток-исток (Vdss)200 V
ДокументСкачать
Документация по этому компоненту пока не загружена.
UnikeyICUnikeyic (ICkey)

Позиция есть у 2 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.

Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы

Все товары категории «Полевые МОП-транзисторы»