STMicroelectronics STRH100N10HY1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | STMicroelectronics STRH100N10HY1 |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 005994 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET STMicroelectronics STRH100N10, 100 В, ток 48 А, корпус TO-254AA
STMicroelectronics STRH100N10HY1 — это N-канальный силовой MOSFET, предназначенный для работы в цепях постоянного тока с напряжением до 100 В. Корпус TO-254AA обеспечивает хорошие условия для отвода тепла и подходит для монтажа на радиаторы. При номинальном токе стока 48 А транзистор может использоваться в мощных импульсных источниках питания, инверторах и преобразователях постоянного тока.
В реальных условиях эксплуатации STRH100N10HY1 демонстрирует умеренный нагрев при работе с максимальными токами. Для снижения нагрева рекомендуется использовать эффективные радиаторы и соблюдать рекомендации производителя по монтажу. Со временем параметры транзистора могут незначительно деградировать из-за старения полупроводникового перехода, но благодаря высокой надежности MOSFET-технологии ST деградация происходит медленно и практически не влияет на работу устройства в течение всего срока службы.
| Материал корпуса | металл |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 48 A |
| Сопротивление сток-исток | 35 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 170 W |
| Мин. напряжение пробоя | 100 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Rds(on) макс. | 35 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (20 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (18 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (17 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- 2N7002DW-7-F — Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 0,23 А, корпус SOT-363
- 2N7002DW-7-F-JSM — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW-7-F, JSMICRO
- 2N7002DW-7-F-MS — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 300 мА, сопротивление канала…
- 2N7002DW-7-F-VB — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 350 мА, корпус SC70-6
- 2N7002DW-7-G — Сдвоенный N-канальный MOSFET (матрица) 2N7002DW, напряжение 60 В, корпус SOT-363
- 2N7002DW-JSM — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, JSMICRO
- 2N7002DW-TP — Сборка из двух МОП-транзисторов MCC, N-канальные, 60 В, 115 мА, 200 мВт, корпус SOT-363
- 2N7002DW-TP-VB — Сдвоенный N-канальный MOSFET VBsemi 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 0.35 А, сопротивление…
- 2N7002DW-VB — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, корпус SC70-6
- 2N7002DW1T1G — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, onsemi, корпус SOT363, лента
- 2N7002DWH6327 — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, JGSEMI, корпус SOT363
- 2N7002DWH6327-MS — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 300 мА, сопротивление канала…