S2N7002DW-VB — купить, цена, наличие
| Наименование: | S2N7002DW-VB |
| Производитель: | VBsemi |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 011296 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный MOSFET VBsemi, напряжение 60 В, ток 0.3 А, сопротивление канала 2500 мОм при 10 В
Полевой транзистор S2N7002DW-VB от компании VBsemi является представителем N-канальных MOSFET с максимальным напряжением сток-исток до 60 В и током стока до 0.3 А. Сопротивление открытого канала составляет 2500 мОм при напряжении затвор-исток равном 10 В, что обеспечивает эффективное управление нагрузкой и умеренные потери на нагрев.
При монтаже данного транзистора на печатную плату особое внимание следует уделить правильной разводке дорожек и выбору местоположения компонента из-за его чувствительности к помехам и скачкам напряжения. Рекомендуется использовать короткие и толстые дорожки для уменьшения индуктивности и потерь сигнала. При пайке необходимо соблюдать температурные режимы, чтобы избежать перегрева полупроводникового кристалла, а также применять качественный флюс, предотвращающий образование окислов.
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Позиция есть у 2 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- BSC050N03LS G-VB — BSC050N03LS G-VB
- BSC050N03LSG — BSC050N03LSG
- BSC050N03LSG-VB — BSC050N03LSG-VB
- BSC050N03LSGA — BSC050N03LSGA
- BSC050N03LSGATMA1 — BSC050N03LSGATMA1
- BSC050N03LSGATMA1-HXY — BSC050N03LSGATMA1-HXY
- BSC050N03LSGATMA1-VB — BSC050N03LSGATMA1-VB
- BSC100N03MSGATMA1 — Infineon BSC100N03MSGATMA1
- BSC120N03MSGATMA1 — Infineon BSC120N03MSGATMA1
- BSO220N03MDGXUMA1 — Infineon BSO220N03MDGXUMA1
- BSP149L6327 — Infineon BSP149L6327
- BSP149L6327HTSA1 — Infineon BSP149L6327HTSA1