Infineon BSP149L6327 — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon BSP149L6327 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 004678 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный MOSFET, напряжение 200 В, ток 0,66 А, автомобильное исполнение, корпус SOT-223, лента.
Infineon BSP149L6327 представляет собой N-канальный полевой транзистор типа MOSFET, предназначенный для автомобильной электроники. Компонент обладает рабочим напряжением до 200 В и способен пропускать ток до 0,66 А. Корпус SOT-223 обеспечивает компактные габариты и подходит для поверхностного монтажа на печатную плату.
Рекомендуется использовать данный транзистор в схемах автомобильных систем управления, где требуется высокая надежность и устойчивость к жестким условиям эксплуатации. При проектировании печатной платы уделите особое внимание правильной трассировке силовых дорожек, обеспечивая достаточное сечение проводников для снижения падения напряжения и перегрева транзистора.
| Корпус | SOT-223 |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 660 mA |
| Номинальный ток | 140 mA |
| Напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Сопротивление сток-исток | 1.8 Ω |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V |
| Двухполярное напряжение питания | 200 V |
| Время спада | 3.4 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Входная ёмкость | 430 pF |
| Дата выпуска | 1999-06-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2013-05-15 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2013-11-15 |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 1.8 W |
| Мин. напряжение пробоя | 200 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | -1.4 V |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Число выводов | 4 |
| Рассеиваемая мощность | 1.8 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 1.8 Ω |
| REACH SVHC | Да |
| Время нарастания | 3.4 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Тип вывода | SMD/SMT |
| Время задержки выключения | 45 ns |
| Время задержки включения | 5.1 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | 200 V |
| Ширина | 6.7 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- BSP149L6327HTSA1 — N-канальный MOSFET, напряжение 200 В, ток 0,66 А, корпус SOT-223, лента.
- BSP149L6327XT — N-канальный MOSFET Infineon BSP149L, 200 В, ток 0.66 А, корпус SOT-223
- IRF540NSTRLPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 33 А, корпус D2PAK
- IRF540NSTRLPBF транзистор — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540NSTRL, N-канал, лента
- IRF540NSTRLPBF-OSEN — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540NSTRLPBF, N-канал, лента, RoHS
- IRF540NSTRLPBF-VB — N-канальный MOSFET (trench) IRF540N VBsemi, напряжение 100 В, ток 45 А, сопротивление кан…
- IRF540NSTRPBF — Силовой полевой транзистор IRF540N VBsemi, ток 33 А, напряжение 100 В, сопротивление кана…
- IRF540NSTRPBF-JSM — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540NS, JSMICRO, N-канал, лента, RoHS
- IRF540NSTRPBF-VB — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 45 А, сопротивление канала 32 мОм, корпус TO-263
- IRF540NSTRRPB — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540NSTRRPB, N-канал
- IRF540NSTRRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 33 А, сопротивление канала 44 мОм, корпус D2PAK
- IRF540NSTRRPBF-VB — N-канальный MOSFET IRF540N VBsemi, одноканальный, корпус TO263