Infineon BSP149L6327XT — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon BSP149L6327XT |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 004680 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный MOSFET Infineon BSP149L, 200 В, ток 0.66 А, корпус SOT-223
Infineon BSP149L6327XT — это N-канальный полевой МОП-транзистор (MOSFET) с максимальным напряжением сток-исток 200 В и током стока 0,66 А. Корпус SOT-223 обеспечивает компактные размеры и хорошую теплоотдачу. Этот компонент предназначен для использования в цепях управления и коммутации с высокими напряжениями и умеренными токами.
При работе с MOSFET необходимо уделять особое внимание защите затвора от статического электричества и перенапряжений. Недостаточная защита затвора может привести к пробою транзистора и выходу из строя всего узла, особенно в чувствительных цепях или при работе с высоковольтными сигналами.
| Корпус | SOT-223 |
| Число выводов | 4 |
| RoHS | Соответствует |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- BSP149L6327 — N-канальный MOSFET, напряжение 200 В, ток 0,66 А, автомобильное исполнение, корпус SOT-22…
- BSP149L6327HTSA1 — N-канальный MOSFET, напряжение 200 В, ток 0,66 А, корпус SOT-223, лента.
- IXFN210N20P — Транзистор MOSFET N-канальный HyPerFET, 200 В, мощность 1070 Вт, заряд затвора 255 нКл, к…
- IXFN210N30P3 — Транзистор MOSFET N-канальный, ток 192 А, корпус SOT-227B
- IXFN210N30X3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 300 В, ток 210 А, корпус SOT-227B (miniBLOC)
- IXFN360N10T — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 2,6 мОм, мощность 830 Вт, корп…
- IXFN40N110Q3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 1100 В, 35 А, корпус SOT-227B
- IXFN420N10T — Транзистор MOSFET N-канальный HiPerFET с траншейным затвором, серия Gen1, диапазон 55-300…
- IXFN66N85X — Транзистор MOSFET N-канальный, 850 В, ток 65 А, мощность 830 Вт, корпус SOT-227B
- JCS10N60CT-O-C-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 800 м…
- JCS10N60FT-O-F-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 мОм при…
- JCS10N60FT-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 м…