Infineon BSZ050N03MSGATMA1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon BSZ050N03MSGATMA1 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 004893 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET OptiMOS, 30 В, сопротивление 4,5 мОм, заряд затвора 34 нКл, корпус TSDSON-8.
Infineon BSZ050N03MSGATMA1 представляет собой N-канальный силовой MOSFET серии OptiMOS, предназначенный для работы в цепях с напряжением до 30 В. Особенностью данного транзистора является низкое сопротивление канала в открытом состоянии – всего 4,5 мОм, что обеспечивает минимальные потери на нагрев и высокую эффективность работы. Заряд затвора составляет 34 нКл, что позволяет достигать оптимального баланса между скоростью переключения и энергопотреблением при управлении транзистором. Компонент выполнен в компактном корпусе TSDSON-8, обеспечивающем надежное крепление и эффективное рассеивание тепла.
При монтаже данного транзистора важно учитывать особенности миниатюрного корпуса TSDSON-8, который требует высокой точности расположения и соблюдения допусков на позиционирование выводов. При пайке следует применять методы поверхностного монтажа (SMD), соответствующие стандарту JEDEC, и использовать флюс с низкой активностью, чтобы избежать коррозии контактов. Также необходимо обеспечить наличие термопрокладок или радиаторов для эффективного отвода тепла, особенно при работе транзистора в режимах высоких нагрузок.
| China RoHS | Не соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 40 A |
| Сопротивление сток-исток | 5.7 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Время спада | 3.2 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Без галогенов | Без галогенов |
| Входная ёмкость | 2.7 nF |
| Дата выпуска | 2007-10-30 |
| Без свинца | Содержит свинец |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. двухполярное напряжение питания | 30 V |
| Макс. рабочая температура | 175 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 48 W |
| Мин. напряжение пробоя | 30 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 4.5 mΩ |
| Количество в упаковке | 5000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 48 W |
| Rds(on) макс. | 4.5 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Время нарастания | 4.2 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Время задержки выключения | 26 ns |
| Время задержки включения | 6.7 ns |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- BSZ035N03MSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET OptiMOS, 30 В, сопротивление 3,5 мОм, заряд затвора 56 нКл, ко…
- IRF9640STRPBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRF9640, JSMICRO, P-канал, корпус TO-220, лента
- IRF9640STRPBF-JSM — МОП-транзистор (MOSFET) IRF9640STRPBF, JSMICRO, P-канал, RoHS
- IRFH5053TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 100 В, сопротивление канала 18 мОм, заряд затвора 2…
- IRFL110 — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 1,5 А, корпус SOT-223
- IRFL110PBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 0,54 Ом, корпус SOT-223
- IRFL110TR — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 1,5 А, корпус SOT-223 (4 вывода)
- IRFL110TR FB. — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, 1,5 А, корпус SOT-223 (4 вывода)
- IRFL110TR-VB — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 5 А, сопротивление канала 100 мОм, корпус SOT-2…
- IRFL110TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 0,54 Ом, корпус SOT-223
- IRFL110TRPBF-BE3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 1,5 А, корпус SOT-223 (4 вывода)
- IRFL110TRPBF-VB — Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, ток 5 А, сопротивление канала 100 мОм, корпус SOT-2…