SI7615ADN-T1-GE3 — купить, цена, наличие
| Наименование: | SI7615ADN-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 012263 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
P-канальный MOSFET Vishay SI7615ADN, -20 В, ток -35 А, корпус PowerPAK-8
P-канальный полевой транзистор SI7615ADN производства компании Vishay выполнен в корпусе PowerPAK-8. Он обладает максимальным напряжением сток-исток до -20 В и способен проводить ток до -35 А. Этот компонент предназначен для коммутации и управления мощными нагрузками в электронных схемах.
SI7615ADN используется в автомобильной промышленности, где требуется высокая надежность и устойчивость к вибрациям, а также в источниках питания и инверторах, где важны низкий уровень потерь и высокая эффективность. В телекоммуникационном оборудовании он обеспечивает защиту цепей и управление питанием, выдерживая жесткие условия эксплуатации и обеспечивая стабильную работу устройств.
| Постоянный ток стока (ID) | 35 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -20 V |
| Сопротивление сток-исток | 4.4 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | -20 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 26 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 12 V |
| Высота | 1.12 mm |
| Входная ёмкость | 5.59 nF |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 3.4 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 52 W |
| Мин. напряжение пробоя | 20 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Число выводов | 5 |
| Упаковка | Digi-Reel® |
| Рассеиваемая мощность | 3.7 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 4.4 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Сопротивление | 4.4 mΩ |
| Время нарастания | 40 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Пороговое напряжение | -400 mV |
| Время задержки выключения | 85 ns |
| Время задержки включения | 13 ns |
| Ширина | 3.4 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (13 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (5 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- 2N7002DW1T1G — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, onsemi, корпус SOT363, лента
- 2N7002DWH6327 — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, JGSEMI, корпус SOT363
- 2N7002DWH6327-MS — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 300 мА, сопротивление канала…
- 2N7002DWH6327XT — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, корпус SOT-363, SMD
- 2N7002DWH6327XTSA1 — Сборка МОП-транзисторов Infineon, N-канальные, 60 В, 0,3 А, корпус SOT-363
- 2N7002DWK-7 — Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 261 мА, корпус SOT-363
- 2N7002DWQ-13-F — Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 0,23 А, корпус SOT-363
- 2N7002DWQ-7-F — Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 0,23 А, корпус SOT-363
- 2N7002DWQ-7-F-VB — Сдвоенный N-канальный MOSFET VBsemi 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 0.35 А, сопротивление…
- 2N7002DWS-7 — Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 0,23 А, корпус SOT-363
- 2N7002K-7 — МОП-транзистор Diodes Inc. серии 2N7002K, N-канальный, 60 В, 300 мА, Rds(on) 2 Ом
- 2N7002K-T1-GE3 — МОП-транзистор Vishay серии 2N7002K, N-канальный, 60 В, Rds(on) 2 Ом, заряд затвора 0,6 н…