Infineon SPD02N50C3BTMA1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon SPD02N50C3BTMA1 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 006480 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой транзистор Infineon SPD02N50C3 CoolMOS, 560 В, сопротивление 3 Ом, корпус TO-252
Infineon SPD02N50C3BTMA1 — это N-канальный силовой MOSFET-транзистор серии CoolMOS с максимальным напряжением сток-исток 560 В и сопротивлением канала 3 Ом. Компонент выполнен в корпусе TO-252, предназначен для использования в цепях с высокими требованиями к эффективности преобразования энергии.
Типичной ошибкой при использовании таких транзисторов является недооценка теплового режима. Недостаточный теплоотвод приводит к перегреву устройства, снижению его эффективности и, как следствие, выходу из строя. Это особенно критично для силовых схем импульсных источников питания и преобразователей постоянного тока, где транзистор работает в режиме переключения на высоких частотах.
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 1.8 A |
| Сопротивление сток-исток | 3 Ω |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 500 V |
| Время спада | 15 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Без галогенов | Содержит галогены |
| Дата выпуска | 2003-07-11 |
| Без свинца | Содержит свинец |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Макс. двухполярное напряжение питания | 500 V |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Мин. напряжение пробоя | 500 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Число выводов | 2 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 3 Ω |
| Количество в упаковке | 2500 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 25 W |
| REACH SVHC | Да |
| Время нарастания | 5 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Время задержки выключения | 70 ns |
| Время задержки включения | 10 ns |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- SPD02N50C3 — N-канальный MOSFET Infineon SPD02N50C3, 500 В, ток 1.8 А, корпус DPAK
- SPD02N50C3XT — N-канальный MOSFET Infineon SPD02N50C3, 500 В, ток 1.8 А, корпус TO-252
- 2SK3484-S16-AY — МОП-транзистор Renesas силовой, N-канальный, 100 В, 16 А, Rds(on) 125 мОм, корпус TO-251
- 2SK3485-TD-E — МОП-транзистор onsemi, N-канальный, 20 В, 2,5 А, Rds(on) 0,11 Ом, корпус SOT-89
- 2SK3486-TD-E — МОП-транзистор onsemi, N-канальный, 20 В, 10 А, Rds(on) 33 мОм при Vgs=4 В
- 2SK3487-TD-E — МОП-транзистор onsemi, N-канальный, серия с управлением от 2,5 В (логический уровень)
- 2SK3491-E — МОП-транзистор onsemi, N-канальный, серия с управлением от 4 В (логический уровень)
- 2SK3491-TL-E — N-канальный силовой MOSFET, 600 В, 1 А, сопротивление канала 8,5 Ом, корпус TO-251, вывод…
- 2SK3492-TL-E — МОП-транзистор onsemi, N-канальный, 60 В, 8 А, корпус TO-FA (2 вывода + теплоотвод)
- 2SK3495-AZ — МОП-транзистор onsemi 2SK3495, одиночный N-канальный силовой транзистор
- 2SK4207 — МОП-транзистор (MOSFET) 2SK4207, N-канал
- 8205A — МОП-транзистор (MOSFET, сдвоенный) 8205A, Tech Public, N-канал