Infineon SPD02N50C3XT — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon SPD02N50C3XT |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 006482 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный MOSFET Infineon SPD02N50C3, 500 В, ток 1.8 А, корпус TO-252
Infineon SPD02N50C3XT представляет собой N-канальный полевой транзистор MOSFET, предназначенный для работы с напряжениями до 500 В и токами до 1.8 А. Компонент выполнен в корпусе TO-252, что обеспечивает надёжное крепление и хороший теплоотвод. Он подходит для использования в цепях управления и коммутации, где требуется высокая эффективность и устойчивость к высоким напряжениям.
При подборе аналога необходимо учитывать ключевые параметры: напряжение сток-исток (Vds), ток стока (Id) и тип корпуса. Аналог должен иметь не меньшие значения напряжения и тока, чтобы обеспечить совместимость и безопасность схемы. Также стоит обратить внимание на сопротивление канала в открытом состоянии (Rds(on)) и пороговое напряжение затвора (Vgs(th)), так как они влияют на потери мощности и режимы переключения.
| Корпус | TO-252 |
| Постоянный ток стока (ID) | 1.8 A |
| Номинальный ток | 1.8 A |
| Сопротивление сток-исток | 3 Ω |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 560 V |
| Без свинца | Без свинца |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Мин. напряжение пробоя | 500 V |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Число выводов | 2 |
| Время нарастания | 5 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Номинальное напряжение (DC) | 560 V |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- SPD02N50C3 — N-канальный MOSFET Infineon SPD02N50C3, 500 В, ток 1.8 А, корпус DPAK
- SPD02N50C3BTMA1 — N-канальный силовой транзистор Infineon SPD02N50C3 CoolMOS, 560 В, сопротивление 3 Ом, ко…
- 2N7002DW-TP — Сборка из двух МОП-транзисторов MCC, N-канальные, 60 В, 115 мА, 200 мВт, корпус SOT-363
- 2N7002DW-TP-VB — Сдвоенный N-канальный MOSFET VBsemi 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 0.35 А, сопротивление…
- 2N7002DW-VB — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, корпус SC70-6
- 2N7002DW1T1G — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, onsemi, корпус SOT363, лента
- 2N7002DWH6327 — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, JGSEMI, корпус SOT363
- 2N7002DWH6327-MS — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 300 мА, сопротивление канала…
- 2N7002DWH6327XT — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, корпус SOT-363, SMD
- 2N7002DWH6327XTSA1 — Сборка МОП-транзисторов Infineon, N-канальные, 60 В, 0,3 А, корпус SOT-363
- 2N7002DWK-7 — Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 261 мА, корпус SOT-363
- 2N7002DWQ-13-F — Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 0,23 А, корпус SOT-363