Infineon SPD02N50C3 — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon SPD02N50C3 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 006481 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный MOSFET Infineon SPD02N50C3, 500 В, ток 1.8 А, корпус DPAK
Infineon SPD02N50C3 — это N-канальный полевой транзистор типа MOSFET, рассчитанный на работу при напряжении до 500 В и способный проводить ток до 1.8 А. Компонент выполнен в корпусе DPAK, что обеспечивает оптимальное сочетание компактности и эффективности теплоотвода.
Отличительной особенностью данного MOSFET является его способность выдерживать высокое напряжение при умеренных токах нагрузки. Это делает его подходящим выбором для схем управления в источниках питания, инверторах и других приложениях, где требуется работа с высокими напряжениями. При этом, в отличие от IGBT, он имеет более простую схему управления и меньшие потери в открытом состоянии, что предпочтительно в задачах с ограниченной мощностью управления или необходимостью минимизации тепловыделения.
| Корпус | TO-252-3 |
| China RoHS | Не соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 1.8 A |
| Номинальный ток | 1.8 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Сопротивление сток-исток | 3 Ω |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 560 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 15 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Входная ёмкость | 190 pF |
| Дата выпуска | 2003-07-11 |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2018-08-31 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2019-02-28 |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 25 W |
| Мин. напряжение пробоя | 500 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Число выводов | 2 |
| Рассеиваемая мощность | 25 W |
| Rds(on) макс. | 3 Ω |
| REACH SVHC | Да |
| Время нарастания | 5 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Пороговое напряжение | 3 V |
| Время задержки выключения | 70 ns |
| Время задержки включения | 10 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | 560 V |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (6 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (34 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- SPD02N50C3BTMA1 — N-канальный силовой транзистор Infineon SPD02N50C3 CoolMOS, 560 В, сопротивление 3 Ом, ко…
- SPD02N50C3XT — N-канальный MOSFET Infineon SPD02N50C3, 500 В, ток 1.8 А, корпус TO-252
- IRLZ44NSTRL — N-канальный силовой MOSFET IRLZ44N, напряжение 55 В, ток 47 А, корпус D2PAK, лента
- IRLZ44NSTRL(UMW) — МОП-транзистор (MOSFET) IRLZ44N, UMW, N-канал, логический уровень, лента
- IRLZ44NSTRLPBF — N-канальный силовой MOSFET IRLZ44N Infineon, напряжение 55 В, ток 47 А, сопротивление кан…
- IRLZ44NSTRLPBF-JSM — МОП-транзистор (MOSFET) IRLZ44NSTRLPBF, JSMICRO, N-канал, лента, RoHS
- IRLZ44NSTRLPBF-VB — N-канальный силовой MOSFET IRLZ44N VBsemi, напряжение 60 В, ток 75 А, сопротивление канал…
- IRLZ44NSTRR — N-канальный силовой MOSFET IRLZ44N, напряжение 55 В, ток 47 А, корпус D2PAK, лента
- IRLZ44NSTRR-VB — N-канальный силовой MOSFET IRLZ44N VBsemi, напряжение 60 В, ток 75 А, сопротивление канал…
- IRLZ44NSTRRPBF-JSM — МОП-транзистор (MOSFET) IRLZ44NSTRRPBF, JSMICRO, N-канал, RoHS
- IXFN110N85X — Транзистор MOSFET N-канальный, 850 В, ток 110 А, корпус SOT-227B
- IXFN132N50P3 — Транзистор MOSFET N-канальный, 500 В, мощность 1500 Вт, заряд затвора 267 нКл, корпус SOT…