Vishay SI3458DV-T1-GE3 — купить, цена, наличие
| Наименование: | Vishay SI3458DV-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 006106 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный MOSFET Vishay SI3458DV, 60 В (сток-исток)
Vishay SI3458DV-T1-GE3 представляет собой N-канальный полевой транзистор типа MOSFET с максимальным напряжением сток-исток 60 В. Компонент предназначен для коммутации и управления электрическими цепями в электронных устройствах. Он обладает низким сопротивлением канала в открытом состоянии и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для применения в схемах, требующих эффективного управления мощностью.
Конструкция транзистора SI3458DV-T1-GE3 обеспечивает устойчивость к вибрации и механическим воздействиям, что позволяет использовать его в условиях повышенной подвижности и вибрационной нагрузки. Компонент также характеризуется хорошей стойкостью к воздействию влажности, что расширяет возможности его применения в средах с повышенной влажностью. Температура эксплуатации определяется производителем и должна учитываться при проектировании устройств.
| Постоянный ток стока (ID) | 3.2 A |
| Сопротивление сток-исток | 100 mΩ |
| Дата выпуска | 2005-04-23 |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2010-11-04 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2011-05-04 |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2 W |
| Мин. напряжение пробоя | 60 V |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 6 |
| REACH SVHC | Да |
| RoHS | Соответствует |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (5 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- SI3458DV-T1 — N-канальный MOSFET Vishay SI3458DV, 60 В (сток-исток)
- SI3458DV-T1-E3 — N-канальный MOSFET Vishay SI3458DV, 60 В, ток 3.2 А, корпус TSOP-6
- BSC042N03MSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, 30 В, ток 82 А, мощность 57 Вт, корпус PG-TDSON-8.
- BSC050N03LS G — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSG, N-канал
- BSC050N03LS G-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление канала 3 мОм…
- BSC050N03LSG — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSG, N-канал
- BSC050N03LSG-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 120 А, сопротивление канала 3 мОм…
- BSC050N03LSGA — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LSGA, N-канал
- BSC050N03LSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, 30 В, ток 66 А, мощность 50 Вт, корпус PG-TDSON-8.
- BSC050N03LSGATMA1-HXY — МОП-транзистор (MOSFET) BSC050N03LS, HXY MOSFET, N-канал, корпус TDSON
- BSC050N03LSGATMA1-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 30 В, ток 45 А, сопротивление канала 4.4 мО…
- BSC100N03MSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, 30 В, ток 41 А, мощность 30 Вт, корпус PG-TDSON-8.