IRF540FI — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRF540FI |
| Производитель: | ISC Semi |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 012597 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, 100 В, сопротивление канала 0,5 Ом, ток 30 А, корпус TO-220/TO-220FI
IRF540FI — это мощный N-канальный полевой транзистор типа MOSFET, предназначенный для коммутации и управления большими токами. Его основные параметры включают рабочее напряжение до 100 В, сопротивление открытого канала всего 0,5 Ом и максимальный ток стока до 30 А. Корпус TO-220/TO-220FI обеспечивает эффективное охлаждение и подходит для поверхностного монтажа.
При работе с IRF540FI важно учитывать особенности управления затвором. Один из распространённых просчётов — недостаточное внимание к скорости переключения и паразитным индуктивностям, что может привести к избыточным потерям энергии и даже выходу транзистора из строя из-за перегрева. Также не стоит забывать о необходимости использования демпфирующих цепей для предотвращения нежелательных колебаний напряжения на стоке.
| Корпус | TO-220-3 |
| China RoHS | Не соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 16 A |
| Сопротивление сток-исток | 77 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 20 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Дата выпуска | 1988-06-01 |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Максимальная рабочая температура | 175 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 40 W |
| Мин. напряжение пробоя | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Рассеиваемая мощность | 40 W |
| REACH SVHC | Нет |
| Время нарастания | 45 ns |
| RoHS | Не соответствует |
| Время задержки выключения | 50 ns |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (5 стр.) |
Позиция есть у 2 поставщиков на мировых складах. Актуальные цены, остатки и сроки — проверить по партномеру.
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRF540FI-JSM — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540FI, JSMICRO, N-канал
- IRF540FI-VB — N-канальный MOSFET IRF540FI VBsemi, напряжение 100 В, ток 50 А, сопротивление канала 40 м…
- IRF540 — Транзистор MOSFET N-канальный IRF540, 100 В, ток 22 А, корпус TO-220
- IRF540A — N-канальный силовой MOSFET onsemi IRF540A, 100 В, ток 28 А, корпус TO-220AB
- IRF540APBF — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540A, JSMICRO, N-канал, корпус TO-220, RoHS
- IRF540APBF-JSM — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540A, JSMICRO, N-канал, RoHS
- IRF540APBF-VB — N-канальный MOSFET IRF540A VBsemi, напряжение 100 В, ток 55 А, сопротивление канала 36 мО…
- IRF540N — Транзистор MOSFET N-канальный IRF540N, корпус TO-220AB
- IRF540N-HXY — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540N, HXY MOSFET, N-канал, корпус TO-220
- IRF540N-MNS — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540N, Minos, N-канал, корпус TO-220
- IRF540N-VB — N-канальный MOSFET IRF540N VBsemi, напряжение 100 В, ток 55 А, сопротивление канала 36 мО…
- IRF540N(UMW) — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540N, UMW, N-канал, корпус TO-220