SI7145DP-T1-GE3 — купить, цена, наличие
| Наименование: | SI7145DP-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 007015 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
P-канальный силовой MOSFET Vishay SI7145DP, одиночный, 30 В, сопротивление 2.6 мОм, корпус PowerPAK SO-8
Vishay SI7145DP-T1-GE3 — это P-канальный силовой полевой транзистор (MOSFET) в корпусе PowerPAK SO-8. Компонент рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 30 В и обладает низким сопротивлением канала в открытом состоянии — всего 2.6 мОм. Такие параметры делают его подходящим для применения в цепях с высокими токами нагрузки и строгими требованиями к потерям напряжения.
PowerPAK SO-8 обеспечивает высокую надёжность и устойчивость к механическим воздействиям, таким как вибрации и удары. Конструкция корпуса защищает внутренние элементы от влаги и загрязнений, что позволяет использовать транзистор в условиях повышенной влажности и агрессивных средах. Температура эксплуатации данного MOSFET охватывает широкий диапазон, что делает его пригодным для использования в различных климатических зонах и промышленных условиях.
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 36.5 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -30 V |
| Сопротивление сток-исток | 2.6 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | -30 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 43 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 1.17 mm |
| Входная ёмкость | 15.66 nF |
| Дата выпуска | 2009-05-25 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 4.9 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 104 W |
| Идентификатор корпуса производителя | S17-0173-Single |
| Мин. напряжение пробоя | 30 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | -2.3 V |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 8 |
| Число выводов | 5 |
| Рассеиваемая мощность | 6.25 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 2.6 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Сопротивление | 2.6 mΩ |
| Время нарастания | 110 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080 |
| Пороговое напряжение | -2.3 V |
| Время задержки выключения | 130 ns |
| Время задержки включения | 27 ns |
| Масса | 506.605978 mg |
| Ширина | 5.89 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (13 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (13 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (13 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (13 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (13 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (13 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (13 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (13 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (5 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IXFN40N110Q3 — IXFN40N110Q3
- IXFN420N10T — IXFN420N10T
- IXFN66N85X — IXFN66N85X
- JCS10N60CT-O-C-N-B-VB — JCS10N60CT-O-C-N-B-VB
- JCS10N60FT-O-F-N-B-VB — JCS10N60FT-O-F-N-B-VB
- JCS10N60FT-VB — JCS10N60FT-VB
- JCS10N60T-VB — JCS10N60T-VB
- JCS10N65CT-O-C-N-B-VB — JCS10N65CT-O-C-N-B-VB
- JCS10N65FT-O-F-N-B-VB — JCS10N65FT-O-F-N-B-VB
- JCS10N65FT-R-F-N-B-VB — JCS10N65FT-R-F-N-B-VB
- JCS10N65FT-VB — JCS10N65FT-VB
- L2N7002DW1T1G — L2N7002DW1T1G