JCS10N60CT-O-C-N-B-VB — купить, цена, наличие
| Наименование: | JCS10N60CT-O-C-N-B-VB |
| Производитель: | VBsemi |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 011632 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 800 мОм при 10 В, корпус TO-220
N-канальный силовой MOSFET JCS10N60CT-O-C-N-B-VB производства компании VBsemi предназначен для работы в цепях с высоким напряжением до 650 В. При напряжении затвора 10 В сопротивление открытого канала составляет 800 мОм, а максимальный ток стока достигает 12 А. Компонент выполнен в стандартном корпусе TO-220, обеспечивающем надёжное крепление и эффективное охлаждение.
Данный транзистор используется в импульсных источниках питания, инверторах напряжения, преобразователях постоянного тока и других устройствах силовой электроники. Он обеспечивает управление мощными нагрузками, выполняет функции ключа или регулятора тока, обеспечивая высокую эффективность и надёжность работы оборудования.
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- JCS10N60FT-O-F-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 мОм при…
- JCS10N60FT-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 м…
- JCS10N60T-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 м…
- JCS10N65CT-O-C-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 800 м…
- JCS10N65FT-O-F-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 м…
- JCS10N65FT-R-F-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 мОм при…
- JCS10N65FT-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 м…
- BSC100N03MSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET, 30 В, ток 41 А, мощность 30 Вт, корпус PG-TDSON-8.
- BSC120N03MSGATMA1 — N-канальный силовой MOSFET OptiMOS, 30 В, сопротивление 12 мОм, заряд затвора 15 нКл, кор…
- BSO220N03MDGXUMA1 — Сдвоенный N-канальный MOSFET в одном корпусе, 30 В, ток 7,7 А, корпус DSO-8, лента.
- BSP149L6327 — N-канальный MOSFET, напряжение 200 В, ток 0,66 А, автомобильное исполнение, корпус SOT-22…
- BSP149L6327HTSA1 — N-канальный MOSFET, напряжение 200 В, ток 0,66 А, корпус SOT-223, лента.