JCS10N60T-VB — купить, цена, наличие
| Наименование: | JCS10N60T-VB |
| Производитель: | VBsemi |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 011628 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 мОм при 10 В
N-канальный силовой MOSFET JCS10N60T-VB производства компании VBsemi предназначен для работы в цепях с высоким напряжением до 650 В. При напряжении затвора 10 В он способен проводить ток до 12 А, обладая сопротивлением открытого канала 680 мОм. Такие характеристики делают его подходящим элементом для схем, требующих эффективного переключения и управления большими нагрузками при минимальных потерях мощности.
В схемотехнике данный транзистор используется преимущественно в источниках питания, инверторах, преобразователях постоянного тока и других устройствах, где необходимо обеспечить надежное управление мощными нагрузками. Благодаря низкому сопротивлению канала, JCS10N60T-VB минимизирует тепловыделение, что упрощает тепловое проектирование и повышает КПД системы. При расчете схемы важно учитывать допустимый ток стока и напряжение сток-исток, чтобы обеспечить корректную работу устройства и предотвратить перегрев транзистора.
| Характеристики не указаны. |
| Документ | Скачать | |
| Документация по этому компоненту пока не загружена. | ||
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- JCS10N60CT-O-C-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 800 м…
- JCS10N60FT-O-F-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 мОм при…
- JCS10N60FT-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 м…
- JCS10N65CT-O-C-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 800 м…
- JCS10N65FT-O-F-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 м…
- JCS10N65FT-R-F-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 мОм при…
- JCS10N65FT-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 10 А, сопротивление канала 830 м…
- DMG4466SSS-13 — N-канальный силовой MOSFET, 30 В, 10 А, сопротивление открытого канала 0,015 Ом, корпус S…
- DMG4496SSS-13 — N-канальный MOSFET, 30 В, сопротивление канала 29 мОм, заряд затвора 4,7 нКл, мощность 1,…
- DMN30H4D0LFDE-7 — N-канальный силовой MOSFET, 300 В, ток 550 мА, сопротивление канала 2,3 Ом, корпус U-DFN2…
- DMN6040SSD-13 — Сдвоенный N-канальный MOSFET-массив, 60 В, ток 6,6 А, корпус SOIC-8, лента.
- DMN62D0U-7 — N-канальный силовой MOSFET, 60 В, ток 380 мА, сопротивление канала 2 Ом, корпус SOT-23.