Infineon IRF7105PBF — купить, цена, наличие

MPN IRF7105PBF · Infineon
Наименование:Infineon IRF7105PBF
Производитель:Infineon
Категория:Полевые МОП-транзисторы
Артикул:002621
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт Уточняем цену…

Транзистор MOSFET N/P-канальный сдвоенный, 25 В, ток 3,5/2,3 А, корпус SOIC-8

Infineon IRF7105PBF представляет собой сдвоенный полевой транзистор МОП-типа, включающий в себя один N-канальный и один P-канальный транзистор. В корпусе SOIC-8 размещаются элементы с рабочим напряжением до 25 В, способные пропускать токи до 3,5 А для N-канального и до 2,3 А для P-канального транзистора. Данный компонент предназначен для схем, требующих компактного решения с возможностью управления как положительным, так и отрицательным сигналами.

Сдвоенные N/P-канальные транзисторы находят применение в инверторах напряжения, источниках питания и схемах управления электродвигателями. В отличие от одиночных N-канальных транзисторов, такие сдвоенные сборки позволяют реализовать более сложные схемы управления с меньшим количеством компонентов и упрощённым монтажом. Выбор именно этого компонента оправдан, когда требуется компактное решение с минимальными затратами на разработку и производство печатной платы, но при этом необходимо обеспечить управление как положительными, так и отрицательными напряжениями.

КорпусSOIC
China RoHSСоответствует
Постоянный ток стока (ID)3.5 A
Номинальный ток3.5 A
Напряжение пробоя сток-исток25 V
Сопротивление сток-исток100 mΩ
Напряжение сток-исток (Vdss)25 V
Время спада37 ns
Напряжение затвор-исток (Vgs)20 V
Высота1.4986 mm
Входная ёмкость330 pF
Дата выпуска1995-07-01
Без свинцаБез свинца
Длина4.9784 mm
Статус жизненного циклаСнят с производства
Максимальная температура перехода150 °C
Макс. рабочая температура150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность2 W
Мин. напряжение пробоя25 V
Мин. рабочая температура-55 °C
Тип монтажаПоверхностный монтаж (SMD)
Номинальное Vgs3 V
Число элементов2
Число выводов8
Сопротивление в открытом состоянии100 mΩ
Количество в упаковке3800
УпаковкаРоссыпь
Рассеиваемая мощность2 W
Радиационная стойкостьНет
Rds(on) макс.100 mΩ
REACH SVHCДа
Сопротивление100 mΩ
Время нарастания13 ns
RoHSСоответствует
Пороговое напряжение3 V
Время задержки выключения45 ns
Время задержки включения7 ns
ДокументСкачать
Информационный листСкачать (10 стр.)
Информационный листСкачать (11 стр.)
Conflict Mineral StatementСкачать
Reach StatementСкачать (6 стр.)
Rohs StatementСкачать (1 стр.)
Актуальные поставщики и цены — в результатах поиска по партномеру.

Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы

Все товары категории «Полевые МОП-транзисторы»