Infineon IRF7105PBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon IRF7105PBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 002621 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N/P-канальный сдвоенный, 25 В, ток 3,5/2,3 А, корпус SOIC-8
Infineon IRF7105PBF представляет собой сдвоенный полевой транзистор МОП-типа, включающий в себя один N-канальный и один P-канальный транзистор. В корпусе SOIC-8 размещаются элементы с рабочим напряжением до 25 В, способные пропускать токи до 3,5 А для N-канального и до 2,3 А для P-канального транзистора. Данный компонент предназначен для схем, требующих компактного решения с возможностью управления как положительным, так и отрицательным сигналами.
Сдвоенные N/P-канальные транзисторы находят применение в инверторах напряжения, источниках питания и схемах управления электродвигателями. В отличие от одиночных N-канальных транзисторов, такие сдвоенные сборки позволяют реализовать более сложные схемы управления с меньшим количеством компонентов и упрощённым монтажом. Выбор именно этого компонента оправдан, когда требуется компактное решение с минимальными затратами на разработку и производство печатной платы, но при этом необходимо обеспечить управление как положительными, так и отрицательными напряжениями.
| Корпус | SOIC |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 3.5 A |
| Номинальный ток | 3.5 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Сопротивление сток-исток | 100 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 25 V |
| Время спада | 37 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 1.4986 mm |
| Входная ёмкость | 330 pF |
| Дата выпуска | 1995-07-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 4.9784 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2 W |
| Мин. напряжение пробоя | 25 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 3 V |
| Число элементов | 2 |
| Число выводов | 8 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 100 mΩ |
| Количество в упаковке | 3800 |
| Упаковка | Россыпь |
| Рассеиваемая мощность | 2 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 100 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 100 mΩ |
| Время нарастания | 13 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Пороговое напряжение | 3 V |
| Время задержки выключения | 45 ns |
| Время задержки включения | 7 ns |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRF7105 — Сдвоенный N/P-канальный силовой MOSFET HEXFET, напряжение 25 В, корпус SO-8
- IRF7105QPBF — Транзистор MOSFET N+P-канальный сдвоенный HEXFET, 25 В, корпус SO-8
- IRF7105QTRPBF — Транзистор MOSFET N+P-канальный сдвоенный HEXFET, 25 В, корпус SO-8
- IRF7105TR — Транзистор MOSFET N+P-канальный сдвоенный HEXFET, 25 В, корпус SO-8
- IRF7105TR(UMW) — Сдвоенный N/P-канальный силовой MOSFET HEXFET, напряжение 25 В, корпус SOP-8
- IRF7105TRPBF — Транзистор MOSFET N/P-канальный сдвоенный, 25 В, ток 3,5/2,3 А, корпус SOIC-8
- IRF7105TRPBF-1 — Сдвоенный N/P-канальный силовой MOSFET HEXFET, напряжение 25 В, корпус SO-8, лента
- IRF7105TRPBF-VB — Транзистор MOSFET N+P-канальный сдвоенный, 30 В, ток 8 А, сопротивление канала 18 мОм, ко…
- IRF7103TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 50 В, ток 3 А, корпус SOIC-8
- IRF7342TRPBF — Транзистор MOSFET P-канальный сдвоенный, -55 В, ток -3,4 А, сопротивление канала 0,105 Ом…
- 2SK4207 — МОП-транзистор (MOSFET) 2SK4207, N-канал
- 8205A — МОП-транзистор (MOSFET, сдвоенный) 8205A, Tech Public, N-канал