IRF7103TRPBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRF7103TRPBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 007907 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, 50 В, ток 3 А, корпус SOIC-8
IRF7103TRPBF — это N-канальный полевой транзистор типа MOSFET, предназначенный для работы в цепях с напряжением до 50 В и током до 3 А. Корпус устройства выполнен в формате SOIC-8, что обеспечивает компактность и удобство монтажа в современные электронные платы.
При подборе аналога данного транзистора необходимо обращать внимание на следующие ключевые параметры: максимальное рабочее напряжение (Vds), ток стока (Id), тип корпуса и количество выводов. Также важно учитывать пороговое напряжение затвора (Vgs(th)), которое определяет условия открытия и закрытия транзистора. Не менее значимым является сопротивление канала в открытом состоянии (Rds(on)), влияющее на потери мощности и нагрев устройства.
| Корпус | SOIC |
| Покрытие контакта | Олово |
| Постоянный ток стока (ID) | 3 A |
| Номинальный ток | 3 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 50 V |
| Сопротивление сток-исток | 130 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 50 V |
| Конфигурация элементов | Сдвоенный |
| Время спада | 25 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 1.4986 mm |
| Входная ёмкость | 290 pF |
| Дата выпуска | 1994-05-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 4.9784 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2 W |
| Идентификатор корпуса производителя | IRF7103TRPBF |
| Мин. напряжение пробоя | 50 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 3 V |
| Число элементов | 2 |
| Число выводов | 8 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 130 mΩ |
| Количество в упаковке | 4000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 2 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 130 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 130 mΩ |
| Время нарастания | 8 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Пороговое напряжение | 3 V |
| Время задержки выключения | 15 ns |
| Время задержки включения | 5.1 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | 50 V |
| Ширина | 3.9878 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRF7105 — Сдвоенный N/P-канальный силовой MOSFET HEXFET, напряжение 25 В, корпус SO-8
- IRF7105PBF — Транзистор MOSFET N/P-канальный сдвоенный, 25 В, ток 3,5/2,3 А, корпус SOIC-8
- IRF7105QPBF — Транзистор MOSFET N+P-канальный сдвоенный HEXFET, 25 В, корпус SO-8
- IRF7105QTRPBF — Транзистор MOSFET N+P-канальный сдвоенный HEXFET, 25 В, корпус SO-8
- IRF7105TR — Транзистор MOSFET N+P-канальный сдвоенный HEXFET, 25 В, корпус SO-8
- IRF7105TR(UMW) — Сдвоенный N/P-канальный силовой MOSFET HEXFET, напряжение 25 В, корпус SOP-8
- IRF7105TRPBF — Транзистор MOSFET N/P-канальный сдвоенный, 25 В, ток 3,5/2,3 А, корпус SOIC-8
- IRF7105TRPBF-1 — Сдвоенный N/P-канальный силовой MOSFET HEXFET, напряжение 25 В, корпус SO-8, лента
- IRF7105TRPBF-VB — Транзистор MOSFET N+P-канальный сдвоенный, 30 В, ток 8 А, сопротивление канала 18 мОм, ко…
- IRF7342TRPBF — Транзистор MOSFET P-канальный сдвоенный, -55 В, ток -3,4 А, сопротивление канала 0,105 Ом…
- IRF540NSTRLPBF-OSEN — МОП-транзистор (MOSFET) IRF540NSTRLPBF, N-канал, лента, RoHS
- IRF540NSTRLPBF-VB — N-канальный MOSFET (trench) IRF540N VBsemi, напряжение 100 В, ток 45 А, сопротивление кан…