Infineon IRF7105TRPBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon IRF7105TRPBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 002620 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N/P-канальный сдвоенный, 25 В, ток 3,5/2,3 А, корпус SOIC-8
Infineon IRF7105TRPBF представляет собой сдвоенный N/P-канальный полевой транзистор MOSFET, выполненный в корпусе SOIC-8. Он рассчитан на напряжение до 25 В и способен обеспечивать ток до 3,5 А для N-канального и до 2,3 А для P-канального транзистора. Компонент предназначен для использования в схемах управления и коммутации силовых цепей.
При проектировании схемы важно помнить, что использование данного транзистора в режиме переключения без соответствующего драйвера может привести к повреждению устройства из-за недостаточного управления затвором. Это связано с тем, что драйвер обеспечивает необходимые скорости переключения и уровни напряжения, предотвращая возможные перегрузки и сбои в работе схемы.
| Корпус | SOIC |
| Постоянный ток стока (ID) | 3.5 A |
| Номинальный ток | 3.5 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Сопротивление сток-исток | 100 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 25 V |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 1.75 mm |
| Входная ёмкость | 330 pF |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 4.9784 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2 W |
| Мин. напряжение пробоя | 25 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Количество каналов | 2 |
| Число элементов | 2 |
| Число выводов | 8 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 100 mΩ |
| Количество в упаковке | 4000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 2 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 100 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 400 mΩ |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Пороговое напряжение | 1 V |
| Время задержки выключения | 45 ns |
| Ширина | 3.9878 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRF7105TRPBF-1 — Сдвоенный N/P-канальный силовой MOSFET HEXFET, напряжение 25 В, корпус SO-8, лента
- IRF7105TRPBF-VB — Транзистор MOSFET N+P-канальный сдвоенный, 30 В, ток 8 А, сопротивление канала 18 мОм, ко…
- IRF7105TR — Транзистор MOSFET N+P-канальный сдвоенный HEXFET, 25 В, корпус SO-8
- IRF7105TR(UMW) — Сдвоенный N/P-канальный силовой MOSFET HEXFET, напряжение 25 В, корпус SOP-8
- IRF7105 — Сдвоенный N/P-канальный силовой MOSFET HEXFET, напряжение 25 В, корпус SO-8
- IRF7105PBF — Транзистор MOSFET N/P-канальный сдвоенный, 25 В, ток 3,5/2,3 А, корпус SOIC-8
- IRF7105QPBF — Транзистор MOSFET N+P-канальный сдвоенный HEXFET, 25 В, корпус SO-8
- IRF7105QTRPBF — Транзистор MOSFET N+P-канальный сдвоенный HEXFET, 25 В, корпус SO-8
- IRF7103TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 50 В, ток 3 А, корпус SOIC-8
- IRF7342TRPBF — Транзистор MOSFET P-канальный сдвоенный, -55 В, ток -3,4 А, сопротивление канала 0,105 Ом…
- JCS10N60T-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 м…
- JCS10N65CT-O-C-N-B-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 800 м…