Infineon IRF7105QPBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon IRF7105QPBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 002622 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N+P-канальный сдвоенный HEXFET, 25 В, корпус SO-8
Infineon IRF7105QPBF — это сдвоенный N+P-канальный полевой транзистор типа HEXFET, рассчитанный на максимальное напряжение 25 В. Компонент выполнен в корпусе SO-8, что обеспечивает компактные габариты и удобство монтажа. Он предназначен для управления электрическими цепями и коммутации сигналов в электронных устройствах, обеспечивая высокую скорость переключения и низкое сопротивление в открытом состоянии.
При подборе аналога или замене данного компонента необходимо учитывать следующие параметры: тип канала (N+P), максимальное рабочее напряжение (25 В), сопротивление в открытом состоянии, емкость затвора, а также характеристики корпуса (SO-8). Важными аспектами являются также допустимые токи стока и динамика переключения, которые должны соответствовать требованиям конкретной схемы.
| Корпус | SO |
| Постоянный ток стока (ID) | 3.5 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Сопротивление сток-исток | 100 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 25 V |
| Конфигурация элементов | Сдвоенный |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 1.75 mm |
| Входная ёмкость | 290 pF |
| Дата выпуска | 2007-07-23 |
| Длина | 4.9784 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Дата последней закупки (LTB) | 2014-11-05 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2015-05-05 |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2 W |
| Мин. напряжение пробоя | 25 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | 3 V |
| Количество каналов | 2 |
| Число элементов | 2 |
| Число выводов | 8 |
| Рассеиваемая мощность | 2 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| REACH SVHC | Да |
| Сопротивление | 100 mΩ |
| RoHS | Соответствует |
| Тип вывода | SMD/SMT |
| Пороговое напряжение | 3 V |
| Время задержки выключения | 45 ns |
| Ширина | 3.9878 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRF7105QTRPBF — Транзистор MOSFET N+P-канальный сдвоенный HEXFET, 25 В, корпус SO-8
- IRF7105 — Сдвоенный N/P-канальный силовой MOSFET HEXFET, напряжение 25 В, корпус SO-8
- IRF7105PBF — Транзистор MOSFET N/P-канальный сдвоенный, 25 В, ток 3,5/2,3 А, корпус SOIC-8
- IRF7105TR — Транзистор MOSFET N+P-канальный сдвоенный HEXFET, 25 В, корпус SO-8
- IRF7105TR(UMW) — Сдвоенный N/P-канальный силовой MOSFET HEXFET, напряжение 25 В, корпус SOP-8
- IRF7105TRPBF — Транзистор MOSFET N/P-канальный сдвоенный, 25 В, ток 3,5/2,3 А, корпус SOIC-8
- IRF7105TRPBF-1 — Сдвоенный N/P-канальный силовой MOSFET HEXFET, напряжение 25 В, корпус SO-8, лента
- IRF7105TRPBF-VB — Транзистор MOSFET N+P-канальный сдвоенный, 30 В, ток 8 А, сопротивление канала 18 мОм, ко…
- IRF7103TRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 50 В, ток 3 А, корпус SOIC-8
- IRF7342TRPBF — Транзистор MOSFET P-канальный сдвоенный, -55 В, ток -3,4 А, сопротивление канала 0,105 Ом…
- JCS10N60FT-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 м…
- JCS10N60T-VB — N-канальный силовой MOSFET VBsemi, напряжение 650 В, ток 12 А, сопротивление канала 680 м…