IRF7342TRPBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRF7342TRPBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 012297 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET P-канальный сдвоенный, -55 В, ток -3,4 А, сопротивление канала 0,105 Ом, корпус SO-8
Двухканальный P-канальный силовой MOSFET транзистор серии IRF7342TRPBF производства компании Infineon предназначен для работы в цепях с максимальным обратным напряжением до 55 В. На каждый канал приходится максимальный ток 3,4 А, а сопротивление открытого канала составляет всего 0,105 Ом. Корпус SO-8 упрощает монтаж и снижает тепловые потери, обеспечивая эффективное охлаждение и компактность конструкции.
При проектировании печатной платы с использованием данного транзистора рекомендуется уделять особое внимание трассировке силовых дорожек. Использование дорожек достаточной ширины и минимизация их длины позволит снизить паразитные сопротивления и уменьшить потери мощности на нагрев. Также необходимо предусмотреть наличие достаточного количества медного заполнения под корпусом транзистора для эффективного отвода тепла и повышения общей надежности схемы.
| Корпус | SOIC |
| Постоянный ток стока (ID) | 3.4 A |
| Номинальный ток | -3.4 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -55 V |
| Сопротивление сток-исток | 105 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | -55 V |
| Конфигурация элементов | Сдвоенный |
| Время спада | 22 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 1.4986 mm |
| Входная ёмкость | 690 pF |
| Дата выпуска | 2016-05-26 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 4.9784 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Максимальная температура перехода | 150 °C |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 1.3 W |
| Мин. напряжение пробоя | 55 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Номинальное Vgs | -1 V |
| Число элементов | 2 |
| Число выводов | 8 |
| Число выводов | 8 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 105 mΩ |
| Количество в упаковке | 4000 |
| Упаковка | Лента на катушке |
| Рассеиваемая мощность | 2 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 105 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Время нарастания | 10 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080 |
| Пороговое напряжение | -1 V |
| Время задержки выключения | 43 ns |
| Время задержки включения | 14 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | -55 V |
| Ширина | 3.9878 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (4 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (7 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) | |
| Rohs Statement | Скачать (1 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRF7103TRPBF — IRF7103TRPBF
- IRF7105 — Infineon IRF7105
- IRF7105PBF — Infineon IRF7105PBF
- IRF7105QPBF — Infineon IRF7105QPBF
- IRF7105QTRPBF — Infineon IRF7105QTRPBF
- IRF7105TR — International Rectifier IRF7105TR
- IRF7105TR(UMW) — UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) IRF7105TR(UMW)
- IRF7105TRPBF — Infineon IRF7105TRPBF
- IRF7105TRPBF-1 — Infineon IRF7105TRPBF-1
- IRF7105TRPBF-VB — VBsemi IRF7105TRPBF-VB
- BSP149L6327HTSA1 — Infineon BSP149L6327HTSA1
- BSP149L6327XT — Infineon BSP149L6327XT