Infineon BSP149L6327HTSA1 — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon BSP149L6327HTSA1 |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 004679 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
N-канальный MOSFET, напряжение 200 В, ток 0,66 А, корпус SOT-223, лента.
Infineon BSP149L6327HTSA1 – это N-канальный полевой МОП-транзистор (MOSFET), предназначенный для работы с напряжением до 200 В и током до 0,66 А. Корпус SOT-223 обеспечивает компактные размеры и удобство поверхностного монтажа в виде ленты. Компонент подходит для использования в цепях с высокими требованиями к напряжению и умеренными значениями тока.
BSP149L6327HTSA1 используется в импульсных источниках питания, схемах управления электродвигателями, инверторах и зарядных устройствах. В этих приложениях транзистор выполняет функции ключа или регулятора тока, обеспечивая эффективное переключение и управление нагрузкой в условиях высоких напряжений.
| Корпус | SOT-223 |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 660 mA |
| Сопротивление сток-исток | 1.8 Ω |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V |
| Время спада | 21 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Входная ёмкость | 430 pF |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Макс. рабочая температура | 150 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 1.8 W |
| Мин. напряжение пробоя | 200 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 4 |
| Рассеиваемая мощность | 1.8 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 1.8 Ω |
| Время нарастания | 3.4 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Время задержки выключения | 45 ns |
| Время задержки включения | 5.1 ns |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- BSP149L6327 — N-канальный MOSFET, напряжение 200 В, ток 0,66 А, автомобильное исполнение, корпус SOT-22…
- BSP149L6327XT — N-канальный MOSFET Infineon BSP149L, 200 В, ток 0.66 А, корпус SOT-223
- 2N7002DW-7-F — Сборка из двух МОП-транзисторов Diodes Inc., N-канальные, 60 В, 0,23 А, корпус SOT-363
- 2N7002DW-7-F-JSM — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW-7-F, JSMICRO
- 2N7002DW-7-F-MS — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 300 мА, сопротивление канала…
- 2N7002DW-7-F-VB — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 350 мА, корпус SC70-6
- 2N7002DW-7-G — Сдвоенный N-канальный MOSFET (матрица) 2N7002DW, напряжение 60 В, корпус SOT-363
- 2N7002DW-JSM — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, JSMICRO
- 2N7002DW-TP — Сборка из двух МОП-транзисторов MCC, N-канальные, 60 В, 115 мА, 200 мВт, корпус SOT-363
- 2N7002DW-TP-VB — Сдвоенный N-канальный MOSFET VBsemi 2N7002DW, напряжение 60 В, ток 0.35 А, сопротивление…
- 2N7002DW-VB — Сдвоенный N-канальный MOSFET 2N7002DW, напряжение 60 В, корпус SC70-6
- 2N7002DW1T1G — МОП-транзистор (сдвоенный, MOSFET) 2N7002DW, onsemi, корпус SOT363, лента