Infineon IRF3205STRLPBF — купить, цена, наличие

MPN IRF3205STRLPBF · Infineon
Наименование:Infineon IRF3205STRLPBF
Производитель:Infineon
Категория:Полевые МОП-транзисторы
Артикул:004914
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт 41.00 ₽ Ориентир, обновлена сегодня. Точная цена — в счёте
Цены и наличие у поставщиков Запросить КП

Транзистор MOSFET N-канальный, 55 В, сопротивление канала 8 мОм, ток 110 А, мощность 200 Вт, корпус D2PAK

Infineon IRF3205STRLPBF представляет собой мощный N-канальный полевой транзистор типа MOSFET, предназначенный для коммутации и управления большими токами. Этот прибор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 55 В, имеет низкое сопротивление открытого канала всего 8 мОм и способен выдерживать ток до 110 А. Мощность рассеивания составляет внушительные 200 Вт, что делает его подходящим для работы в мощных электронных устройствах. Корпус D2PAK обеспечивает хорошую теплопроводность и возможность эффективного отвода тепла.

При эксплуатации данного транзистора важно учитывать его тепловые характеристики из-за высокой мощности рассеивания. При работе с высокими токами необходимо обеспечить эффективное охлаждение, так как перегрев может привести к ускоренной деградации полупроводникового перехода и увеличению сопротивления канала. Со временем возможны незначительные изменения параметров транзистора, такие как рост сопротивления канала и снижение допустимого тока, что связано с естественным старением полупроводниковых материалов.

КорпусD2PAK
China RoHSНе соответствует
Постоянный ток стока (ID)75 A
Номинальный ток110 A
Напряжение пробоя сток-исток55 V
Сопротивление сток-исток8 mΩ
Напряжение сток-исток (Vdss)55 V
Конфигурация элементовОдиночный
Время спада65 ns
Напряжение затвор-исток (Vgs)20 V
Высота5.084 mm
Входная ёмкость3.247 nF
Дата выпуска2004-03-11
Без свинцаБез свинца
Длина10.668 mm
Статус жизненного циклаПроизводится
Максимальная температура перехода175 °C
Макс. рабочая температура175 °C
Максимальная рассеиваемая мощность200 W
Мин. напряжение пробоя55 V
Мин. рабочая температура-55 °C
Тип монтажаПоверхностный монтаж (SMD)
Номинальное Vgs4 V
Количество каналов1
Число элементов1
Число выводов3
Число выводов2
Сопротивление в открытом состоянии8 mΩ
Количество в упаковке800
Рассеиваемая мощность200 W
Радиационная стойкостьНет
Rds(on) макс.8 mΩ
REACH SVHCНет
Сопротивление8 MΩ
Время нарастания101 ns
RoHSСоответствует
Код Schedule B8541290080
Пороговое напряжение4 V
Время задержки выключения50 ns
Время задержки включения14 ns
Номинальное напряжение (DC)55 V
Ширина9.65 mm
ДокументСкачать
Информационный листСкачать (11 стр.)
Информационный листСкачать (10 стр.)
Информационный листСкачать (12 стр.)
Информационный листСкачать (4 стр.)
Conflict Mineral StatementСкачать
Reach StatementСкачать (6 стр.)
Актуальные поставщики и цены — в результатах поиска по партномеру.

Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы

Все товары категории «Полевые МОП-транзисторы»