Infineon IRF3205STRRPBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | Infineon IRF3205STRRPBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 004916 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET N-канальный, 55 В, сопротивление канала 8 мОм, ток 110 А, мощность 200 Вт, корпус D2PAK
Infineon IRF3205STRRPBF — мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET, предназначенный для работы в цепях с напряжением до 55 В. Сопротивление открытого канала составляет всего 8 мОм, что обеспечивает низкое падение напряжения и минимальные потери на нагрев. При этом допустимый ток стока достигает 110 А, а рассеиваемая мощность — 200 Вт. Корпус D2PAK обеспечивает эффективное охлаждение и надёжное крепление на радиатор.
Конструкция корпуса D2PAK предусматривает высокую устойчивость к механическим воздействиям, таким как вибрация и удары, что делает транзистор подходящим для использования в условиях повышенной нагрузки. Компонент также характеризуется хорошей защитой от влаги и загрязнений, что позволяет применять его в сложных климатических условиях и агрессивных средах.
| Корпус | D2PAK |
| Постоянный ток стока (ID) | 75 A |
| Номинальный ток | 110 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Сопротивление сток-исток | 8 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 55 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 65 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 5.084 mm |
| Входная ёмкость | 3.247 nF |
| Дата выпуска | 1995-11-01 |
| Без свинца | Без свинца |
| Длина | 10.668 mm |
| Статус жизненного цикла | Снят с производства |
| Максимальная температура перехода | 175 °C |
| Макс. рабочая температура | 175 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 200 W |
| Мин. напряжение пробоя | 55 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж (SMD) |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Число выводов | 2 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 8 mΩ |
| Количество в упаковке | 800 |
| Рассеиваемая мощность | 200 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 8 mΩ |
| REACH SVHC | Нет |
| Время нарастания | 101 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Время задержки выключения | 50 ns |
| Время задержки включения | 14 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | 55 V |
| Ширина | 9.65 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (11 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (12 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (4 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Conflict Mineral Statement | Скачать | |
| Reach Statement | Скачать (6 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- IRF3205STRL — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 55 В, корпус D2PAK
- IRF3205STRLPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 55 В, сопротивление канала 8 мОм, ток 110 А, мощность 200…
- IRF3205STRLPBFG — МОП-транзистор (MOSFET) International Rectifier IRF3205S, N-канал, корпус TO-263, RoHS (л…
- IRF3205STRPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, корпус D2PAK
- IRF3205STRPBF-VB — Транзистор MOSFET N-канальный, 60 В, ток 100 А, сопротивление канала 6 мОм, корпус TO-263
- IRF3205S — Транзистор MOSFET N-канальный HEXFET, 55 В, корпус D2PAK
- IRF3205SPBF — Транзистор MOSFET N-канальный, 55 В, сопротивление канала 8 мОм, ток 110 А, мощность 200…
- 2SK3484-S16-AY — МОП-транзистор Renesas силовой, N-канальный, 100 В, 16 А, Rds(on) 125 мОм, корпус TO-251
- 2SK3485-TD-E — МОП-транзистор onsemi, N-канальный, 20 В, 2,5 А, Rds(on) 0,11 Ом, корпус SOT-89
- 2SK3486-TD-E — МОП-транзистор onsemi, N-канальный, 20 В, 10 А, Rds(on) 33 мОм при Vgs=4 В
- 2SK3487-TD-E — МОП-транзистор onsemi, N-канальный, серия с управлением от 2,5 В (логический уровень)
- 2SK3491-E — МОП-транзистор onsemi, N-канальный, серия с управлением от 4 В (логический уровень)