Infineon IRF3205SPBF — купить, цена, наличие

MPN IRF3205SPBF · Infineon
Наименование:Infineon IRF3205SPBF
Производитель:Infineon
Категория:Полевые МОП-транзисторы
Артикул:004913
Наличие:Под заказ · авиа 1–3 раза/нед.
Ориентировочная цена за 1000 шт Уточняем цену…
Цены и наличие у поставщиков Запросить КП

Транзистор MOSFET N-канальный, 55 В, сопротивление канала 8 мОм, ток 110 А, мощность 200 Вт, корпус D2PAK

Infineon IRF3205SPBF — мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET с рабочим напряжением до 55 В и максимальным током стока 110 А. Низкое сопротивление открытого канала (8 мОм) обеспечивает минимальное падение напряжения и потери мощности, а высокий допустимый рассеиваемый ток (до 200 Вт) позволяет применять транзистор в устройствах с высокой мощностью. Компактный корпус D2PAK упрощает монтаж и улучшает отвод тепла.

При монтаже данного транзистора необходимо учитывать особенности его корпуса D2PAK. Для обеспечения надежного теплового контакта рекомендуется использовать качественный теплопроводящий клей или пасту между корпусом транзистора и радиатором. Также важно соблюдать требования к пайке: использовать низкотемпературный припой и избегать перегрева, чтобы не повредить полупроводниковый кристалл. Печатная плата должна иметь достаточное количество медных площадок для эффективного отвода тепла от выводов транзистора.

КорпусD2PAK
Постоянный ток стока (ID)75 A
Номинальный ток110 A
Напряжение пробоя сток-исток55 V
Сопротивление сток-исток8 mΩ
Напряжение сток-исток (Vdss)55 V
Двухполярное напряжение питания55 V
Конфигурация элементовОдиночный
Время спада65 ns
Напряжение затвор-исток (Vgs)20 V
Высота5.084 mm
Входная ёмкость3.247 nF
Дата выпуска1995-11-01
Без свинцаБез свинца
Длина10.668 mm
Статус жизненного циклаСнят с производства
Максимальная температура перехода175 °C
Макс. рабочая температура175 °C
Максимальная рассеиваемая мощность200 W
Мин. напряжение пробоя55 V
Мин. рабочая температура-55 °C
Тип монтажаПоверхностный монтаж (SMD)
Номинальное Vgs4 V
Количество каналов1
Число элементов1
Число выводов3
Число выводов2
Сопротивление в открытом состоянии8 mΩ
Количество в упаковке1000
УпаковкаРоссыпь
Рассеиваемая мощность200 W
Радиационная стойкостьНет
Rds(on) макс.8 mΩ
REACH SVHCНет
Время восстановления104 ns
Сопротивление8 MΩ
Время нарастания101 ns
RoHSСоответствует
Код Schedule B8541290080
Тип выводаSMD/SMT
Пороговое напряжение4 V
Время задержки выключения50 ns
Время задержки включения14 ns
Номинальное напряжение (DC)55 V
Ширина10.54 mm
ДокументСкачать
Информационный листСкачать (11 стр.)
Информационный листСкачать (10 стр.)
Информационный листСкачать (4 стр.)
Conflict Mineral StatementСкачать
Reach StatementСкачать (6 стр.)
Rohs StatementСкачать (1 стр.)
Актуальные поставщики и цены — в результатах поиска по партномеру.

Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы

Все товары категории «Полевые МОП-транзисторы»