IRF4905PBF — купить, цена, наличие
| Наименование: | IRF4905PBF |
| Производитель: | Infineon |
| Категория: | Полевые МОП-транзисторы |
| Артикул: | 007025 |
| Наличие: | Под заказ · авиа 1–3 раза/нед. |
Транзистор MOSFET P-канальный, -55 В, сопротивление канала 0,02 Ом, ток -74 А, мощность 200 Вт, корпус TO-220AB
IRF4905PBF — мощный P-канальный полевой транзистор MOSFET производства компании Infineon. Технические характеристики включают напряжение сток-исток до -55 В, сопротивление открытого канала всего 0,02 Ом и максимальный ток до -74 А. Компонент способен рассеивать мощность до 200 Вт, что делает его подходящим для управления большими нагрузками. Корпус TO-220AB обеспечивает эффективное охлаждение и надежность в работе.
Конструкция корпуса TO-220AB хорошо справляется с воздействием вибрации, что позволяет использовать транзистор в условиях механических нагрузок. Компонент рассчитан на работу в широком диапазоне температур, а герметичное исполнение защищает от воздействия влаги и конденсата. Это делает IRF4905PBF пригодным для использования в промышленных и автомобильных приложениях, где важны устойчивость к внешним воздействиям и высокая надежность.
| Корпус | TO-220AB |
| China RoHS | Соответствует |
| Постоянный ток стока (ID) | 74 A |
| Номинальный ток | -74 A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -55 V |
| Сопротивление сток-исток | 20 mΩ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | -55 V |
| Двухполярное напряжение питания | -55 V |
| Конфигурация элементов | Одиночный |
| Время спада | 96 ns |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | 20 V |
| Высота | 19.8 mm |
| Входная ёмкость | 3.4 nF |
| Дата выпуска | 1996-01-01 |
| Без свинца | Содержит свинец, Без свинца |
| Шаг выводов | 2.54 mm |
| Длина | 10.5156 mm |
| Статус жизненного цикла | Производится |
| Дата последней закупки (LTB) | 2012-08-25 |
| Дата последней поставки (LTD) | 2013-02-25 |
| Максимальная температура перехода | 175 °C |
| Макс. рабочая температура | 175 °C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 150 W |
| Мин. напряжение пробоя | 55 V |
| Мин. рабочая температура | -55 °C |
| Тип монтажа | Монтаж в отверстия (THT) |
| Номинальное Vgs | -4 V |
| Количество каналов | 1 |
| Число элементов | 1 |
| Число выводов | 3 |
| Сопротивление в открытом состоянии | 20 mΩ |
| Количество в упаковке | 1000 |
| Упаковка | Россыпь |
| Рассеиваемая мощность | 150 W |
| Радиационная стойкость | Нет |
| Rds(on) макс. | 20 mΩ |
| REACH SVHC | Да |
| Время восстановления | 130 ns |
| Время нарастания | 99 ns |
| RoHS | Соответствует |
| Код Schedule B | 8541290080 |
| Тип вывода | Монтаж в отверстия (THT) |
| Пороговое напряжение | -4 V |
| Время задержки выключения | 61 ns |
| Время задержки включения | 18 ns |
| Номинальное напряжение (DC) | -55 V |
| Ширина | 4.69 mm |
| Документ | Скачать | |
| Информационный лист | Скачать (9 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (10 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (13 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (8 стр.) | |
| Информационный лист | Скачать (3 стр.) |
Похожие товары — Полевые МОП-транзисторы
- AO6800-HXY — МОП-транзистор (MOSFET) AO6800, HXY MOSFET, N-канал
- APT5010JVR — N-канальный силовой MOSFET, 500 В, ток 44 А, корпус SOT-227, туба.
- AUIRF540Z — N-канальный силовой MOSFET Infineon HEXFET AUIRF540Z, автомобильный (Q101), 100 В, корпус…
- AUIRF540Z-VB — N-канальный автомобильный MOSFET AUIRF540Z VBsemi, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивле…
- AUIRF540ZPBF — N-канальный автомобильный MOSFET AUIRF540Z, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивление кан…
- AUIRF540ZPBF-JSM — МОП-транзистор (автомобильный, MOSFET) AUIRF540Z, JSMICRO, N-канал, RoHS
- AUIRF540ZPBF-VB — N-канальный автомобильный MOSFET AUIRF540Z VBsemi, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивле…
- AUIRF540ZSTRL — N-канальный силовой MOSFET, 100 В, ток 36 А, автомобильное исполнение, корпус D2PAK, лент…
- AUIRF540ZXKMA1-VB — N-канальный автомобильный MOSFET AUIRF540Z VBsemi, напряжение 100 В, ток 70 А, сопротивле…
- AUIRF7640S2TR — N-канальный силовой MOSFET, 60 В, ток 5,8 А, автомобильное исполнение, корпус Direct-FET…
- AUIRFU8403 — Силовой N-канальный MOSFET HEXFET, 40 В, автомобильное исполнение AEC-Q101, корпус IPAK.
- AUIRFU8403-701TRL — Силовой N-канальный MOSFET HEXFET, 40 В, ток 100 А, корпус TO-251AA, лента.